Ромака В.А., Стадник Ю.В., Ромака В.В., Лагун А.Е. Дослідження термоелектричного матеріалу ZrNiSn1-xInx. Особливості ...

УДК 621.315.592

В.А. Ромака1, Ю.В. Стадник2, В.В. Ромака2, А.Е. Лагун1

1Національний університет “Львівська політехніка”,
2Львівський національний університет імені Івана Франка

ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ ZrNiSn1-xInx. ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРОННОЇ ТА КРИСТАЛІЧНОЇ СТРУКТУР

Розраховано розподіл електронної густини (DOS) та досліджено структурні характеристики інтерметалевого напівпровідника ZrNiSn1-xInx, х = 0  0,15. Виявлено локальні структурні розупорядкування та запропоновано механізм взаємного заміщення атомів Zr, Sn та In.

The structural descriptions and electronic density of states (DOS) calculation, as well concentration range х = 0  0.15 impurity concentrations for the ZrNiSn1-xInx intermetallic semiconductor. The local disorderings in the ZrNiSn1-xInx lattice were found and the mechanism of the reciprocal substitution of the Zr, Sn, and In atoms was proposed.

Кількість посилань – 5.

Завантажити статтю