Ромака В.А., Крайовський Р., Ромака Л.П. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів ...

УДК 537.311.322

В.А. Ромака1, Р. Крайовський2, Л.П. Ромака1

1Львівський національний університет ім. І. Франка
2Національний університет “Львівська політехніка”

ПРОГНОЗУВАННЯ ТЕРМОМЕТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК Zr1-xYxNiSn НА ОСНОВІ РЕЗУЛЬТАТІВ РОЗРАХУНКУ РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ

© Ромака В.А., Крайовський Р., Ромака Л.П., 2009

Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів.

Influence of p-dopant of Y is investigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples.

Кількість посилань – 6.

Завантажити статтю