Крайовський Р., Ромака В. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x HoxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини

УДК 537.311.322

Р. Крайовський1, В. Ромака2

1Національний університет “Львівська політехніка”;
2Львівський національний університет ім. І. Франка

ПРОГНОЗУВАННЯ ТЕРМОМЕТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК Zr1-xНоxNiSn НА ОСНОВІ РЕЗУЛЬТАТІВ РОЗРАХУНКУ РОЗПОДІЛУ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ

© Крайовський Р., Ромака В., 2010

Досліджено вплив акцепторної домішки Но на зміну кристалічної та електронної структур інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Но) = 0 ÷ 0,50. Зроблені висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF)
Zr1-xНоxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів.

Кількість посилань - 5