УДК 519.6:621.396

М.І. Андрійчук

Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України

РОЗРАХУНОК ЕЛЕКТРОДИНАМІЧНИХ ПАРАМЕТРІВ МІКРОСМУЖКОВИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ З ВИКОРИСТАННЯМ АНАЛІТИКО-ЧИСЛОВОГО ПІДХОДУ

© Андрійчук М.І., 2008

Методом поверхневих інтегральних рівнянь виконано строгий електродинамічний аналіз відкритих мікросмужкових неоднорідностей. Підхід передбачає застосування функцій Гріна півпростору у разі діелектричної багатошарової підкладки. Для числового розв’язування відповідних інтегральних рівнянь використовується метод Гальоркіна. Елементи отриманої імпедансної матриці розраховуються аналітико-числовим інтегруванням. Характеристичні параметри структури визначаються за відомими елементами матриці.

The full-wave electrodynamical analysis of open microwave discontinuities is performed by space domain integral equation approach. This approach employs the dyadic Green’s functions for grounded multi-layer dielectric configuration and can be used for single or multi-layer dielectric with or without substrate. The Galerkin’s method is used for numerical solving the respective integral equations. Elements of received impedance matrix are calculated by combination of analytical and numerical integration. The characteristic network parameters of structure are determined by the matrix elements.

Кількість посилань – 20.

Завантажити статтю