Гавриш В., Нитребич О. Моделювання теплового стану в елементах мікроелектронних пристроїв із наскрізними чужорідними включеннями

УДК 536.24

В. Гавриш, О. Нитребич
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра програмного забезпечення

МОДЕЛЮВАННЯ ТЕПЛОВОГО СТАНУ В ЕЛЕМЕНТАХ МІКРОЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЇВ ІЗ НАСКРІЗНИМИ ЧУЖОРІДНИМИ ВКЛЮЧЕННЯМИ

© Гавриш В., Нитребич О., 2011

Розглядається стаціонарна осесиметрична задача теплопровідності для ізотропного шару з наскрізним чужорідним циліндричним включенням, яке виділяє тепло. За допомогою кусково-лінійної апроксимації температури на граничній поверхні включення та інтегрального перетворення Ганкеля побудовано аналітичний розв'язок задачі з граничними умовами другого роду. Виконано числові розрахунки температурного поля та проаналізовано їх для заданих геометричних і теплофізичних параметрів.
Ключові слова: температура, теплопровідність, стаціонарна, осесиметрична, ізотропний, чужорідне наскрізне циліндричне включення, ідеальний тепловий контакт.

The steady state axially symmetric problem of thermal conduction for isotropic layer with heat-generating foreign reach-through cylindrical inclusion has been considered. Using piecewise linear approximation of the temperature on the inclusion boundary surfaces and applying the Hankel integral transform the analytical solution of the heat conduction problem with boundary conditions of second order has been formed. The numerical calculations of temperature fields have been conducted and analyzed for given geometrical and thermophysical parameters.
Key words: temperature, thermal conduction, steady state, axially symmetric , foreign reach-through cylindrical inclusion, ideal thermal contact.

Література – 10