- Рубрики
- Філософія, психологія, педагогіка
- Історія
- Політика, право
- Економіка
- Математика
- Фізика
- Хімія, хімічна технологія
- Біологія, валеологія
- Геодезія, картографія
- Загальнотехнічні науки
- ІТ, комп'ютери
- Автоматика, радіоелектроніка, телекомунікації
- Електроенергетика, електромеханіка
- Приладо-, машинобудування, транспорт
- Будівництво
- Архітектура, містобудування
- Мовознавство
- Художня література
- Мистецтвознавство
- Словники, енциклопедії, довідники
- Журнал "Львівська політехніка"
- Збірники тестових завдань
- Книжкові видання
- Наукова періодика
- Вісник Національного університету „Львівська політехніка”
- Інформатизація вищого навчального закладу
- Інформаційні системи та мережі
- Автоматика, вимірювання та керування
- Архітектура
- Держава та армія
- Динаміка, міцність та проектування машин і приладів
- Електроенергетичні та електромеханічні системи
- Електроніка
- Комп’ютерні науки та інформаційні технології
- Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика
- Комп’ютерні системи та мережі
- Логістика
- Менеджмент та підприємництво в Україні: етапи становлення і проблеми розвитку
- Оптимізація виробничих процесів і технічний контроль у машинобудуванні та приладобудуванні
- Проблеми економіки та управління
- Проблеми лінгвістики науково-технічного і художнього тексту та питання лінгвометодики
- Проблеми української термінології
- Теорія і практика будівництва
- Теплоенергетика. Інженерія довкілля. Автоматизація
- Фізико-математичні науки
- Філософські науки
- Хімія, технологія речовин та їх застосування
- Радіоелектроніка та телекомунікації
- Юридичні науки
- Міжвідомчі науково-технічні збірники
- Наукові журнали
- Про наукову періодику
- Вісник Національного університету „Львівська політехніка”
- Фірмова продукція
№ 592 (2007)
УДК 548.5; 621.378.324
Н.В. Mартинюк1, Д. Фагундес-Петерс2, К. Петерман2, С.Б. Убізський1, О.А. Бурий2
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки;
2Гамбурзький університет, Інститут лазерної фізики, м. Гамбург, Німеччина
МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ ПЕРЕДАЧІ ЕНЕРГІЇ ЗБУДЖЕННЯ ІОНІВ Yb3+ ДО ІОНІВ ДОМІШОК У ЛАЗЕРНОМУ КРИСТАЛІ
Проаналізовано процеси передачі енергії збудження в лазерному кристалі, активованому іонами Yb3+. Розглядаються три моделі, що містять двочастинкову передачу (від активного центра до домішки), тричастинкову (від двох активних до одного домішкового іона) та двох механізмів одночасно. Для кожного з трьох випадків описано особливості кінетики спонтанної люмінесценції активного іона, а також залежності квантової ефективності від амплітуди імпульсу збудження, що дає змогу за вимірюваннями цих характеристик класифікувати процеси передачі енергії, що відбуваються в кристалі.
The excitation energy transfer processes in laser crystals doped with Yb3+ ions are analyzed in this work. Three models are considered including two-particles transfer (from the active center to impurity ion), three-particles cooperative transfer (from two active centers to impurity ion) and the case of both mechanisms simultaneously. Peculiarities of the active ion luminescence decay kinetics as well as a dependence of quantum efficiency on the excitation pulse amplitude are described for each case that allows classifying the energy transfer processes being held in the crystal from measurements of these characteristics.
Кількість посилань – 11.
W. Paszkowicz, J. Piętosa
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences,
al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, Poland
ON THE ORTHORHOMBIC DISTORTION OF CaMnO3-δ
CaMnO3, is a parent compound for numerous multicomponent manganites. Its crystallographic data are of importance in studies of materials having CaMnO3 as a component. Its orthorhombic structure can be treated as weakly distorted cubic one. The magnitude of orthorhombic distortion may be influenced by the possible excess from stoichiometry as well as by technology-dependent defect structure. In this paper, the distortion is discussed on the basis of literature data coming from various laboratories. It is concluded that these data (both, stoichiometric and off-stoichiometric) show a large scatter of distortion magnitude. However, those of highest accuracy in lattice parameter values, reported in the last decade, are consistent, indicating that they can be treated as most reliable ones. Trends in the influence of oxygen off-stoichiometry on the distortion and the need of further experimental studies are pointed out. The results of the present analysis can be useful in structural studies of CaMnO3-based solid solutions.
Кількість посилань – 23.
УДК 548.0:515.511
А.С. Андрущак1, Б.Г. Мицик2, Н.М. Дем’янишин2, М.В. Кайдан1, О.В. Юркевич1
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра телекомунікацій
2Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України
ЗАПОВНЕННЯ МАТРИЦЬ ЛІНІЙНОГО ЕЛЕКТРООПТИЧНОГО ЕФЕКТУ В КРИСТАЛАХ ДОВІЛЬНОГО КЛАСУ СИМЕТРІЇ. АПРОБАЦІЯ МЕТОДУ НА ПРИКЛАДІ КРИСТАЛІВ НІОБАТУ ЛІТІЮ
Для інтерферометричного методу визначення коефіцієнтів лінійного електрооптичного ефекту отримані співвідношення, які дають змогу визначити всі компоненти тензора лінійного електрооптичного ефекту в кристалах будь-якого класу симетрії. На основі цих співвідношень виведені робочі формули і проведена апробація методу на прикладі кристалів ніобату літію. Отримані результати вимірювань всіх електрооптичних коефіцієнтів подано порівняно з відомими літературними даними.
The relations that allow defining all tensor components of the linear electro-optical effect in the crystals of any symmetry class are presented for the offered modification of interferometric method of the linear electro-optical effect coefficients measurements. On the basis of these expressions the working formulas were derived and the approbation of this method was conducted on the example of lithium niobate crystals. The results of all electro-optical coefficients measurements are compared with the respective literature values.
Кількість посилань – 24.
УДК 621.315.592
І.А. Большакова 1, Р.Л. Голяка 2, В.Є. Єрашок 1, А.В. Марусенков 1, А.П. Мороз 1
Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки, 2кафедра електронних приладів
НОВІ ПІДХОДИ ТА АПАРАТУРА ДЛЯ REAL-TIME ДОСЛІДЖЕННЯ СЕНСОРІВ МАГНІТНОГО ПОЛЯ В ЖОРСТКИХ РАДІАЦІЙНИХ УМОВАХ
Розглянуто питання створення апаратури для дослідження гальваномагнітних сенсорів в процесі їх опромінення в нейтронних реакторах. Новизною роботи є те, що дослідження параметрів сенсорів проводяться: по-перше, безпосередньо під час їх опромінення (real-time) і, по-друге, при дуже високих рівнях радіаційного випромінювання (флюенс швидких нейтронів – понад 1018 н/см2). Розроблена апаратура була успішно апробована та використана в експериментах з дослідження радіаційної стійкості гальваномагнітних сенсорів Лабораторії магнітних сенсорів (Національного університету “Львівська політехніка”) в реакторі ИБР-2 (ОІЯД, Дубна, Росія) у жовтні 2006 року.
Present work raises the issues of creating the instrumentation for the investigation of galvanomagnetic sensors during their irradiation in the neutron reactors. The novelty of the work consists in the fact that investigation of the sensors’ parameters was conducted, first, directly during the irradiation (in real time), and, second, under the conditions of very harsh penetrating irradiation (fast neutron fluence above 1018n/cm2). Developed instrumentation has been successfully tested and applied in the experiments on investigation of radiation stability of galvanomagnetic sensors of Magnetic Sensor Laboratory (Lviv Polytechnic National University) in the reactor IBR-2 (JINR, Dubna, Russia) in October 2006.
Кількість посилань – 7.
УДК 621.315.592
І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Макідо, Ф.М. Шуригін
Національний університет “Львівська політехніка”,
Лабораторія магнітних сенсорів, Центр “Кристал”
ОСОБЛИВОСТІ ТЕХНОЛОГІЇ ВИРОЩУВАННЯ МІКРОКРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ InAs1-XSbX З ГАЗОВОЇ ФАЗИ
Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК-механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі.
Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.
Кількість посилань – 9.
УДК 537.622.6
А.Н. Булатова1, Н.С. Трутнев2, М.Ф. Булатов1
Астраханский государственный университет1,
Московский государственный университет инженерной экологии2
ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ФЕРРОГРАНАТОВ СОСТАВА (YCa)3Fe5O12
С использованием криохимической технологии были получены нанодисперсные порошки феррогранатов иттрия с иновалентным замещением Са. Использование данной технологии позволило снизить температуру спекания Y2,9Ca0,1Fe5O12. Установлено, что самопроизвольная намагниченность насыщения образцов состава Y2,9Ca0,1Fe5O12, полученных по данной технологии ниже, чем у образцов, полученных твердофазным синтезом.
Using cryo-chemical technique we obtained nano-dispersed powders of iron garnets with hetero-valent substitution by Ca ions. Usage of this technique allows to reduce the agglomeration temperature of Y2,9Ca0,1Fe5O12. It was established that saturation magneti¬zation of Y2,9Ca0,1Fe5O12 samples fabricated under this technology is lower than of samples manufactured by solid state synthesis.
Кількість посилань – 2.
УДК 621.315.592
О.А. Бурий
Національний університет “Львівська політехніка”,
лабораторія фізики оксидних кристалів, НДЦ “Кристал”
ТЕРМОМЕХАНІЧНІ НАПРУЖЕННЯ В МІКРОЧІПОВОМУ Nd3+:YAG-ЛАЗЕРІ З ПАСИВНИМ МОДУЛЯТОРОМ ДОБРОТНОСТІ НА ОСНОВІ ПЛІВКИ Сr4+:YAG
Розглядаються теплові процеси в мікрочіповому лазері на основі кристала Nd3+:YAG, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr4+:YAG, яка має властивості поглинача, що насичується. За системою швидкісних рівнянь визначено величину питомого тепловиділення, що існує при лазерній генерації. При відомому часовому та просторовому розподілі питомого тепловиділення за рівнянням теплопровідності визначено розподіл температури, за допомогою якого визначено величини термомеханічних напружень, що виникають в лазері в процесі генерації.
The heat processes are considered for microchip Nd3+:YAG-laser passively Q-switched by Cr4+:YAG film that has got the properties of saturable absorber. The specific heat generation is determined from the system of the rate equations. At the given time and space distribution of the specific heat generation the temperature distribution is determined from the heat conduction equation. The temperature distribution is used for the calculation of the thermomechanical strains appearing during the laser action.
Кількість посилань – 11.
УДК 621.373 +681.789
Т.І. Вороняк1, О.В. Юркевич2, А.С. Андрущак2
Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра фотоніки, 2кафедра телекомунікацій
ТЕХНОЛОГІЯ КОНТРОЛЮ ГЕОМЕТРІЇ ОПТИЧНИХ ПОВЕРХОНЬ ЗРАЗКІВ ІЗ КРИСТАЛІЧНИХ МАТЕРІАЛІВ
На основі інтерферометра Маха–Цендера запропоновано технологію контролю геометрії поверхонь та оптичної неоднорідності зразків із кристалічних матеріалів. Ця технологія дає змогу проводити якісний і кількісний контроль геометрії оптичної поверхні кристалічного зразка, визначати величину клиноподібності протилежних граней та характер спотворень по всій апертурі хвильового фронту лазерного променя, що пройшов через досліджуваний зразок.
Using Mach-Zehnder interferometer the technology for control of surface geometry and optical heterogeneity of crystal materials samples is proposed. This technology allows to carry out qualitative and quantitative control of optical surface geometry for crystal samples, to determine the value of opposite face wedging and wavefront aberration over the whole aperture for laser beam, which pass through the investigated sample.
Кількість посилань – 5.
УДК 621.317
1З.Ю. Готра, 2Дж. Тейт, 3Р. Кікінеші, 1З.А. Дутчак, 2А.А. Закутаєв, 1Л.М. Ракобовчук, 2Б.М. Яворський
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних приладів,
2Державний університет штату Орегон, (США),
кафедра фізики,
3Державний університет штату Орегон, (США),
кафедра матеріалознавства
СТРУКТУРА ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРОЗОРИХ ЕЛЕКТРОПРОВІДНИХ ПЛІВОК НА ОСНОВІ BaCuTeF
Методом імпульсного лазерного напилення отримано плівки BaCuTeF. Досліджено вплив температури відпалу на їхні структуру та оптичні властивості. У результаті досліджень показано можливість застосування BaCuTeF для отримання високоякісних прозорих електропровідних плівок р-типу.
BaCuTeF films were prepared by the pulsed laser deposition method. The influence of the annealing temperature on the structure and optical properties was investigated. As a result of this research the possible application of BaCuTeF for creating high-quality transparent conducting p-type thin films was shown.
Кількість посилань – 10.
УДК 541.13
І.І. Григорчак1, В.З. Каліцінський1, Є.Й. Ріпецький1, М.М. Міцов2
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра інженерного матеріалознавства і прикладної фізики
2Концерн “Hefra”, Братислава, Словаччина.
ЕФЕКТИ БЛОКУВАННЯ ЛІМІТУЮЧОЇ НЕГЕЛЬМГОЛЬЦЕВОЇ ЄМНОСТІ В НАНОПОРИСТИХ І НАНОКОМПОЗИТНИХ СТРУКТУРАХ ТА ЇХ ЗАСТОСУВАННЯ ДЛЯ СТВОРЕННЯ ЗМІННОСТРУМОВИХ СУПЕРКОНДЕНСАТОРІВ
Запропоновано підхід до вирішення задачі зниження тангенса кута втрат конденсаторів з подвійним електричним шаром (ПЕШ). Для цього як електродні матеріали використовують активований вуглецевий матеріал з фрактальною графітовою сіткою, нанодисперсний вуглець та вуглець-кремнеземовий нанокомпозит з внутрішньоагрегованою С-ізоляцією. Електролітами слугують 32% водний розчин гідроксиду калію та одномолярний розчин тетраетиламонію тетрафторборату в -бутиролактоні. Імпедансні виміри та дослідження циклічної вольтамперометрії свідчать про високе значення питомої ємності при тангенсі кута втрат, меншому від 1 в низькочастотному інтервалі. В роботі пропонується теоретична модель, яка розкриває механізм розблокування гельмгольцевої ємності.
In this work an approach to the task solution of the decrease in dissipation factor of capacitor with double electric layer (DEL) is offered. For this propose activated carbon with fractal graphite grid, nanoscale carbon and SiO2-C nanocomposite with internal aggregated C-isolation are used as a basis for electrode materials. 32% aqueous solution of KOH and 1 M solution of Tetraethyl-Ammonium-Tetrafluoro-Borate in -butyrolactone serve as electrolytes. Impedance measurements and cyclic volt-amperometric studies are evidence of high profile of permittivity when dissipation factor is less than 1 in low-frequency slot. A theoretical model that exposes the mechanism of deblocking of the Helmholtz’s capacitance is offered in our work.
Кількість посилань – 18.
УДК 621.315.61
Б.О. Дем’янчук
Одеський національний університет ім. І.І. Мечникова
МЕТОД ОЦІНКИ РІВНЯ ВІДБИТТЯ ЕЛЕКТРОМАГНІТНІХ ХВИЛЬ ВІД БАГАТОШАРОВОГО ПОКРИТТЯ НА МЕТАЛЕВІЙ ПІДЛОЖЦІ
Запропоновано метод і одержано формулу для песимістичної оцінки очікуваної величини коефіцієнта відбиття електромагнітної енергії мікрохвильового діапазону від синтезованого кусково-однорідного середовища композиційного матеріалу на металевій підложці за значеннями коефіцієнтів відбиття та коефіцієнтів проходження шарів середовища, які попередньо експериментально вимірюють. Метод дає змогу проектувати покриття з потрібними властивостями та визначати потрібну кількість шарів для досягнення необхідного результату.
The suggested method provides experimental – calculating definition of pessimistic estimation of the expected size of electromagnetic energy reflection factor of microwave range from the synthesized piecewise-homogeneous environment -covering of composite material on the metal substrate on factors values of reflection and factors of covering layers passage preliminary measured experimentally.
Кількість посилань – 7.
УДК 539.1
Я.О. Довгий1, Я.П. Кость1, І.Г. Маньковська1, І.М. Сольський2
1Львівський національний університет імені Івана Франка,
кафедра експериментальної фізики,
2Науково-виробниче підприємство “Карат”
ГІРОТРОПІЯ І ПАРАМЕТРИ ЦИРКУЛЯРНИХ ЕКСИТОНІВ У КРИСТАЛАХ -ТеО2
У структурі фундаментального спектра парателуриту виявлено екситонну смугу (А-смуга), відповідальну за дисперсію поворотної здатності в області прозорості та у прикрайовій області спектра (h < Eg). Визначено параметри гіроактивного осцилятора: енергію дисоціації Gex = 115 меВ та екситонний радіус rex = 8,0 Å. Той факт, що rex виявився близьким до параметра гратки с ланцюжкової структури ТеО2, вказує, що у парателуриті, вірогідно, маємо справу з екситонами проміжного радіуса.
In the structure of fundamental spectrum of paratellurite an exciton band (A-band) accountable for dispersion of optical rotation in the transparent region and in the region of absorption edge is fined (h < Eg). The parameters of optically active oscillator are definite: dissociation energy Gex = 115 meV and exciton radius rex = 8,0 Å. Circumstance that rex turned out near to the lattice parameter c of TeO2 chain structure, indicates that in paratellurite, more reliable, we have dealing with excitons of intermediate radius.
Кількість посилань – 4.
УДК 621.315.592
А.О. Дружинін, І.П. Островський , Ю.Р. Когут
Національний університет “Львівська політехніка”,
лабораторія сенсорної електроніки та лазерної технології НДЦ “Кристал”
МАГНІТНА СПРИЙНЯТЛИВІСТЬ ТА НАМАГНІЧЕНІСТЬ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ Si-Ge
Досліджено польові залежності намагніченості та магнітної сприйнятливості субмікронних (0,3-0,9 мкм) ниткоподібних кристалів (НК) Si0,95Ge0,05 при фіксованих температурах та в діапазоні температур 4,2-300K при напруженості магнітного поля 4 кЕ. Одержані експериментальні дані свідчать про магнітну взаємодію центрів в НК, яка ймовірно пов’язана з наявністю обірваних зв’язків у пористій оболонці кристалів.
Magnetic field and temperature dependencies of magnetization and magnetic susceptibility of submicron (0,3-0,9 m) Si0,95Ge0,05 whiskers at fixed temperatures and fixed magnetic field (4 kOe) respectively were studied in temperature range 4,2-300K. The results obtained indicate in magnetic interaction between centers, which is likely connected with danger bonds content in porous envelope of the whiskers.
Кількість посилань – 11.
УДК 546:548.736
О.І. Заремба, Р.Є. Гладишевський
Львівський національний університет імені Івана Франка,
кафедра неорганічної хімії
ВПЛИВ ЧАСТКОВИХ ЗАМІЩЕНЬ КОМПОНЕНТІВ НА КРИСТАЛІЧНУ СТРУКТУРУ СПОЛУК СЕРІЇ M2Cu2O3-CuO2
Синтезовано шаруваті купрати серії (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 з частковим заміщенням Ca та Sr на Gd, Dy, Er або Yb(Y). Методом рентгенівського дифракційного аналізу полікристалічних зразків виявлено, що розчинність рідкісноземельних металів у сполуці (Ca6Sr8)Cu24O41 є обмеженою (до вмісту 2–4 атоми на формульну одиницю), як і Sb, Sn, In, Ge та Ga (до вмісту 0,24 атома на формульну одиницю). У структурі сполуки (Ca6Sr8)Cu24O41 атоми Cu можна замістити на атоми Ni до складу (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, тоді як при заміщенні на Co граничним є склад (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, при якому спостерігається ущільнення атомних шарів у структурі та видовження ланцюгів квадратів CuO4.
The layered cuprates of (Ca,Sr)2Cu2O3-CuO2 series with partial substitution of Ca and Sr by Gd, Dy, Er or Yb(Y) were obtained. X-ray powder diffraction analysis indicated that solubility of rare-earth metals in (Ca6Sr8)Cu24O41 compound is limited (up to 2-4 atoms per unit cell), as well as Sb, Sn, In, Ge and Ga (up to 0,24 atom per unit cell). The Cu atoms in the structure of (Ca6Sr8)Cu24O41 compound can be replaced by Ni atoms up to composition (Ca6Sr8)Cu23Ni1O41, whereas at substitution by Co the limited composition is (Ca6Sr8)Cu18Co6O41, where the compression of the atomic layers and extension of chains of CuO4 squares take place.
Кількість посилань – 13.
Клим Г.І., Ваків М.М. Модель багатоканальної позитронної анігіляції в діелектричній кераміці MgAl2O4
УДК 537.312:621.315.592.4
Г.І. Клим1,2, М.М. Ваків2
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
2Львівський НДІ матеріалів НВП “Карат”
МОДЕЛЬ БАГАТОКАНАЛЬНОЇ ПОЗИТРОННОЇ АНІГІЛЯЦІЇ В ДІЕЛЕКТРИЧНІЙ КЕРАМІЦІ MGAL2O4
© Клим Г.І., Ваків М.М., 2007
H.I. Klym, М.M. Vakiv
MULTI-CHANNEL MODEL OF POSITRON ANNIHILATION IN DIELECTRIC MgAl2O4 CERAMICS
© Klym H.I., Vakiv M.M., 2007
Узагальнено багатоканальну модель позитронної анігіляції для діелектричної кераміки MgAl2O4 шпінельного типу. Показано, що ця модель об’єднує канали захоплення позитронів об’ємними дефектами та розпад атомів орто-позитронію. У межах розвинутого підходу перша компонента часів життя позитронів відображає мікроструктурні особливості шпінельної структури, друга компонента відповідає об’ємним дефектам біля міжзеренних границь, а третя – процесу «pick-off» анігіляції орто-позитронію в наповнених вологою нанопорах кераміки. Показано, що процеси вологопоглинання в кераміці MgAl2O4 каталітично впливають на захоплення позитронів дефектами.
The multi-channel model of positron annihilation for humidity-sensitive dielectric spinel-type MgAl2O4 ceramics is generalized. It is shown that this model unifies the channels of positron trapping and ortho-positronium decay modes. In terms of developed approach, the first component in the lifetime spectra reflects microstructure specificity of the spinel structure, the second component responsible to extended defects near grain boundaries and the third component corresponds to “pick-off” annihilation of ortho-positronium in the water-filled nanopores of ceramics. It is shown that the water-sorption processes act catalytically on positron trapping in MgAl2O4 ceramics.
Кількість посилань – 17.
УДК 539.12.04.+621.378.325
Б.П. Ковалюк, Ю.М. Нікіфоров
Тернопільський державний технічний університет ім.Івана Пулюя
ДОСЛІДЖЕННЯ ПОЧАТКОВОЇ СТАДІЇ НАКОПИЧЕННЯ ДЕФЕКТІВ У КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУРАХ З p–n ПЕРЕХОДОМ ПІД ДІЄЮ ЛАЗЕРНИХ УДАРНИХ ХВИЛЬ
Експериментально досліджено процес генерації ЕРС під дією лазерних ударних хвиль малої амплітуди у кремнієвих структурах з p–n переходом на початковій стадії накопичення дефектів в інтервалі температур 295 – 345 К за товщини захисного мідного екрана 1 – 4 мм. Густини потоку лазерного випромінювання регулювали в межах 108 –109 Вт/см2. Показано, що метод, заснований на генерації ЕРС лазерною ударною хвилею в комплексі з вивченням явища фотоефекту, є ефективним інструментом дослідження початкової стадії змін електронних властивостей та дефектоутворення у напівпровідникових матеріалах за умови врахування фізико-технічних особливостей генерації лазерних ударних хвиль.
The generation of the EMF in silicon structure with p–n junction protected with 1 – 4 mm heat screen at the temperature 295 – 345 K in Laser Shock Waves (LSW) processing was observed. Power density laser source was 108 – 109 Wt/sm2. The initial stage of the defects accumulation in under Laser Shock Waves action was investigated. The character of observed changes of the EMF generated by weak LSW was analyzed. The analysis show that the EMF generated by LSW together with photo-effect may be effective method for study of defect forming and electronic properties at the initial stage of LSW process in semiconductors.
Кількість посилань – 8.
УДК 548.522
І.В. Курило1, О.В. Рибак2
Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки,
2кафедра фізики
МОРФОЛОГІЯ І СТРУКТУРНА ДОСКОНАЛІСТЬ КРИСТАЛІВ PbI2 В ЗВ’ЯЗКУ З УМОВАМИ ЇХ РОСТУ
Подано результати дослідження морфології та структури кристалів PbI2, одержаних із парової фази в закритій системі. Залежно від технологічних умов вирощування одержано такі типи кристалів: пластинчасті, смужкові, голчасті, двійникові, дендритні утворення, полікристали, а також їхні комбінації та зростки.
Data are presented on the and structural perfection of PbI2 crystals grown from the vapor phase in a closed system. By varying growth conditions, platelike, ribbon, needle, twinned, and dendritic crystals were prepared, as well as combinations and intergrowths of these habits.
Кількість посилань – 11.
УДК 537.312:621.383
І.В. Курило1, І.О. Рудий1, І.Є. Лопатинський1, М.С. Фружинський1, І.С. Вірт2, Т.П. Шкумбатюк2
1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фізики; кафедра напівпровідникової електроніки
2 Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
СТРУКТУРА ТА ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК Bi2Te3, Sb2Te3 ТА НАДСТРУКТУР Bi2Te3 / Sb2Te3, ОТРИМАНИХ ІМПУЛЬСНИМ ЛАЗЕРНИМ ОСАДЖЕННЯМ
Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та надрешітки Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм. рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Досліджено структуру об’ємного матеріалу мішеней за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K.
Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and superlattices structures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of bulk materials of target was investigated by X-ray diffraction method. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K.
Кількість посилань – 10.
УДК 532.783
З.М. Микитюк, А.В. Фечан, О.Й. Ясиновська
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних приладів
ВПЛИВ ПАРАМЕТРІВ ХОЛЕСТЕРИЧНИХ РІДКИХ КРИСТАЛІВ НА СМУГУ СЕЛЕКТИВНОГО ВІДБИВАННЯ СВІТЛА В РЗЗ-ЛАЗЕРАХ
Наведено результати теоретичних й експериментальних досліджень спектрів селективного відбивання холестеричних рідких кристалів. Проведено моделювання коефіцієнта відбивання для різних параметрів зразків. Досліджено залежність коефіцієнта відбивання від товщини зразка і двопроменезаломлення. Отримані результати показують, що для забезпечення високого коефіцієнта відбивання товщина зразка має становити не менше ніж 10 кроків спіралі. У випадку меншої товщини треба використовувати матеріали з високою величиною двопроменезаломлення (0,3 ÷ 0,4).
The results of theoretical and experimental researches of the spectrums of selective reflection of cholesteric liquid crystals are represented. The modelling of reflection coefficient for different parameters of sample is carried out. The dependences of reflection coefficient from the sample thickness and the birefringence are investigated. The got results are shown, that for providing of high reflection coefficient, the sample thickness is to make not less than 10 pitches of spiral. In the case of less thickness it follows to use materials with the high size of birefringence (0,3 ÷ 0,4).
Кількість посилань – 8.
УДК 535.417
О.М. Мокрий
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки
ЧАСТОТНА ЗАЛЕЖНІСТЬ ЧУТЛИВОСТІ ІНТЕРФЕРОМЕТРА МАЙКЕЛЬСОНА ПРИ РЕЄСТРАЦІЇ ПОВЕРХНЕВИХ АКУСТИЧНИХ ХВИЛЬ
Розглянуто метод реєстрації поверхневих акустичних хвиль (ПАХ) за допомогою інтерферометра Майкельсона у випадку, коли оптичні промені, що інтерферують, утворюють деякий кут між собою. Створено числову модель, яка описує процес реєстрації ПАХ. Проаналізовано залежність чутливості вимірювальної схеми від частоти ПАХ і параметрів оптичного променя. За допомогою числового моделювання доведено, що чутливість цієї схеми залежить від частоти ПАХ.
The method of detection of surface acoustic waves (SAW) using Michelson interferometer in the case when interferential optical beams consist certain angle between each other has been considered. The numerical modelling of detection process of SAW was described out. The dependence of sensitivity of measurement setup from frequency of the SAW and parameters of optical ray has been analysed. The numerical simulation has showed that the sensitivity of this scheme is dependent on frequency of SAW.
Кількість посилань – 8.
УДК 621.315.592
І.О. Мрихін1,3, Д.М. Заячук1, С.І. Круковський3,
О.І. Іжнін3, Ю.С. Михащук1, І.І. Григорчак2
Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки,
кафедра інженерного матеріалознавства і прикладної фізики,
3Науково-виробниче підприємство “Карат”
СВІТЛОВИПРОМІНЮВАЛЬНА ГЕТЕРОСТРУКТУРА InP/InGaAsP З ВІДДАЛЕНИМ ВІД ГЕТЕРОГРАНИЦІ ПЛАВНИМ p-n-ПЕРЕХОДОМ
Методом РФЕ в температурному інтервалі 635 – 620 оС вирощено гетероструктури n-InP:Те/p-In0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn та досліджено їхні випромінювальні, вольт-фарадні характеристики і напругу пробою. Виявлено існування кореляцій між інтенсивністю випромінювання структури за прямого зміщення та її напругою пробою за оберненого зміщення на p-n-переході. Встановлено, що найвищою інтенсивністю випромінювання володіли структури, для яких за використовуваних технологічних режимів росту лего¬ваний p-InGaAsP:Zn шар нарощували не менше години. Показано, що така тривалість процесу забезпечує лінійний розподіл легуючої домішки в області p-n-переходу і величину градієнта її концентрації, меншу за 1022 см-4. Цього одночасно достатньо для забезпечення напруги пробою переходу Ud на рівні 10 В. Зроблено висновок, що величина Ud ≈ 10 В може використовуватися як критерій придатності досліджених p-n-гетероструктур для виготовлення світлодіодів.
Heterostructure n-InP:Те / p-In0.917Ga0.083As0.155P0.845:Zn are grown by LPE method at temperature range 635 – 620 oC. Their emitting, volt-capacity characteristics and breakdown voltage are investigated. Presence of correlations between emitting intensity of structure under forward bias and its breakdown voltage under reverse bias is revealed. It is shown that the highest emitting intensity has the structures for which process of growing p-InGaAsP:Zn was continued no less than one hour. Such procedure ensures linear distribution of doping impurity at the range of p-n-junction and gradient of it concentration less than 1022 cm-4. It is enough for guarantee of breakdown voltage Ud at the level of 10 V. It is drawn a conclusion that value Ud ≈ 10 V may be used as criteria of aptitude of p-n-heterostructures under consideration for light-emitting diodes manufacturing.
Кількість посилань – 9.
УДК 621.317.4
Л.П. Павлик, С.Б. Убізський
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ВПЛИВ СИМЕТРІЇ МАГНІТНОЇ АНІЗОТРОПІЇ АКТИВНОГО СЕРЕДОВИЩА НА МОЖЛИВІСТЬ ВЕКТОРНОГО ВИМІРЮВАННЯ МАГНІТНОГО ПОЛЯ ФЕРОМОДУЛЯЦІЙНИМ ПЕРЕТВОРЮВАЧЕМ
Побудовано математичні моделі індуктивного сигналу відклику феромодуляційного перетворювача магнітного поля із обертальним перемагнічуванням з чутливим елементом, що має змішану магнітну анізотропію різної симетрії, а також аналізується взаємозв’язок симетрії осей легкого намагнічування активного середовища з можливістю одночасного вимірювання трьох ортогональних компонент магнітного поля.
Mathematical models of the inductive read-out signal of the magnetic field ferro-modulation transducer with sensing element possessing the mixed magnetic anisotropy of different symmetry being excited by rotational magnetization reversal are developed in this work and the influence of the easy magnetization axes symmetry on the possibility of simultaneous measurement of three orthogonal component of magnetic field.
Кількість посилань – 12.
УДК 621.315.592
В. Савчук
Інститут прикладних проблем механіки і математики Національної академії наук України
ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ОСАДЖЕННЯ НА КРИСТАЛІЧНУ СТРУКТУРУ ТОНКИХ ПЛІВОК CdTe, ВИРОЩЕНИХ МЕТОДОМ ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПИЛЕННЯ
Досліджено вплив параметрів осадження в вакуумній камері (температура підкладки, тип підкладки) на формування кристалічної структури тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення. На основі аналізу результатів рентгено-дифракційних та електронно-мікроскопічних досліджень плівок CdTe, вирощених при різних параметрах осадження, встановлено, що основним фактором, який визначає кристалічний стан плівок, є температура підкладки.
Effect of technological condensation parameters into vacuum chamber, such as substrate temperature and substrate type on crystalline structure of CdTe thin films grown by Pulsed Laser Deposition were studied. Examinations of CdTe thin films grown at various condensation parameters by X-ray diffraction and electron-diffraction methods were carried out. As a result, it was established that the substrate temperature is main parameter, which determines a crystallinity of grown films.
Кількість посилань – 17.
УДК 537.311.322
С.В. Cиротюк1, С.Н. Краєвський3 , Ю.Є. Кинаш2
Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки,
2кафедра АСУ,
3Український державний лісотехнічний університет,
комп’ютерний центр, м. Львів
ЕЛЕКТРОННА ЕНЕРГЕТИЧНА СТРУКТУРА КРИСТАЛА InN, РОЗРАХОВАНА НА ФУНКЦІЯХ БЛОХА І ПЛОСКИХ ХВИЛЯХ
Розраховані електронні енергетичні спектри кристала InN у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який містить функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії в InN краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів.
The electronic energy bands in a crystal InN have been evaluated within the electronic density functional theory. The Hamiltonian matrix was derived on mixed basis, including the core Bloch states and plane waves. The obtained band energies show better agreement to experiment than those evaluated by means of ab initio atomic pseudopotentials.
Кількість посилань – 12.
УДК 621.382.323
М.В. Тиханський, А.І. Партика
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ОПТИМІЗАЦІЯ РЕЖИМУ РОБОТИ ДЖОЗЕФСОНІВСЬКИХ КРІОТРОНІВ
Запропоновано метод оптимізації режиму роботи джозефсонівських кріотронів (ДК) під час керування їхнім логічним станом імпульсами струму. Існуюча математична модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах дає можливість отримати перехідні характеристики під час зміни логічного стану. Проте оптимізувати режим роботи кріотронів через велику кількість параметрів у моделі є складним завданням. Запропонований нами метод оптимізації, який полягає в розрахунках не тільки перехідних характеристик кріотронів, а також і часових залежностей складових загального струму в кріотроні, дав змогу дослідити вплив кожної складової струму на перехідні процеси і визначити ті параметри моделі, які безпосередньо впливають на логічні переходи.
In the paper, we propose a method of operation mode optimization of Josephson cryotrons (JC) during the regulation of their logic-state by current impulses. The existing mathematical model of transitional processes in Josephson cryotrons allows us to obtain transitional charachteristics during the change in cryotrons' logic-state. However, to carry out the operation mode optimization of cryotrons remains a hard task due to the large number of the model's parameters. The proposed optimization method consisting in calculating not only the transitional charachteristics of cryotrons, but also the time-dependences of the total current components in a cryotron allowed us to investigate the influence of each current component on the transitional processes and determine those parameters, which have a direct influence on logic-state transitions.
Кількість посилань – 9.
УДК 537.311.33
К.К. Товстюк, Н.І. Кузик
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
ВПЛИВ АКУСТИЧНИХ ФОНОНІВ НА ЕЛЕКТРОННИЙ ГАЗ У СИЛЬНО АНІЗОТРОПНИХ ТА ІЗОТРОПНИХ КРИСТАЛАХ
Обчислено дійсну та уявну частини масового оператора (МО) для електронів в ізотропних кристалах з параболічним законом дисперсії та для електронів у сильно анізотропних кристалах із Фівазовим законом дисперсії, які взаємодіють із акустичним фононом з лінійною дисперсією. Обчислення проводяться для параметрів шаруватого кристала InSe. Порівнюючи такі величини, можна зробити висновок про особливості електрон-фононної взаємодії у кристалах зі слабким зв’язком, зокрема з проведених обчислень випливає висновок про істотніший вплив акустичних фононів на розмиття енергетичних рівнів порівняно зі зміною ефективних мас електронів для обох розглянутих дисперсій.
We evaluated real and imagine parts of Mass operator (MO) for isotropic crystals with parabolic electron energy and for anisotropic crystals with electron energy subscribed by Fivas dispersion. These electrons interact acoustical phonons with linear energy dependence on momentum. All investigation are carried out with InSe parameters. Comparing MO we come to conclusion about the peculiarity of electron phonon interaction in crystals with weak binding. From our investigations we see that acoustical phonons influence the energy level degradation is much more sufficient as its change of electron affective mass for both considered dispersions.
Кількість посилань – 7.
УДК 621.315.592
Ф.М. Шуригін, О.Ю. Макідо, Я.Я. Кость
Національний університет “Львівська політехніка”,
лабораторія магнітних сенсорів, Центр “Кристал”
МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ МАСОПЕРЕНЕСЕННЯ ТВЕРДИХ КОМПОНЕНТІВ ЧЕРЕЗ ГАЗОВУ ФАЗУ В СИСТЕМІ InAs–Sn–HCl
Наведено результати термодинамічних розрахунків системи InAs-Sn-HCl, на основі яких було проведено дослідження масоперенесення твердих компонентів через газову фазу. Показано, що для цієї системи можна використати порівняно прості математичні моделі та розрахунки, які досить точно описують реальні процеси, що відбуваються в газовій фазі, а одержані розрахункові дані масоперенесення добре узгоджуються із експериментальними даними сумарного масоперенесення в реальних процесах. Досліджено залежності масоперенесення компонентів системи від температури зони джерела та визначено оптимальну температуру зони джерела для цього процесу.
Results of InAs-Sn-HCl system thermodynamic calculations, on the basis of which we carried out the research of solid component mass transfer through vapor phase, are represented. It is demonstrated that relatively simple mathematic models and calculations can be used for this system, and their description of the real processes taking place in the vapor phase is rather accurate. The results of mass transfer calculation data are in accord with the experimental data of the total mass transfer in the real processes. Research into dependencies of the system component mass transfer upon source region temperature has been carried out, and optimal source region temperature for the process has been determined.
Кількість посилань – 5.
УДК 539.23:621.382.8
С.О. Юр’єв, П.І. Юрчишин, С.І. Ющук
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фізики
ОСОБЛИВОСТІ ВИРОЩУВАННЯ ЕПІТАКСІЙНИХ ПЛІВОК ФЕРИТ-ГРАНАТІВ З СУБМІКРОННИМИ ЦМД
Для зменшення швидкості росту МПФГ з ЦМД, покращання технологічності та відтворюваності їх магнітних параметрів при багатопозиційному методі отримання запропоновано ферит-гранатову систему та розчинник і встановлені молярні співвідношення між оксидами у вихідній шихті. Використання розчинника дало змогу понизити температуру насичення розплавів до 1151...1189 К, температуру росту МПФГ до 1048...1103 К та швидкість росту плівок до 0,10...0,60. За допомогою введення до складу шихти оксиду вісмуту отримано задовільні вищі значення полів одновісної магнітної анізотропії, температури Кюрі з одночасним покращанням контрастності доменів за рахунок збільшення вмісту в МПФГ іонів. Наявність в шихті оксиду кремнію зменшує неузгодження параметрів решіток плівок та підкладок до значень Å. Встановлені інтервали вмісту оксидів в шихті відповідають оптимальним магнітним параметрам та їх відтворюваності у вирощених МПФГ.
For decreasing of speed growing of MFGF with BCD, the improvement of technologicalness and reproduction of their magnetic parameters at the multiposition method of reception the ferro-garnet system and solvent are offered and molar correlations between oxides in an initial charge are set. The usage of solvent allowed to reduce the temperature of liquid phase saturation to 1151...1189 K, the temperature growth of MFGF to 1048...1103 K and the films speed growing to 0,10...0,60 μm/min. The intercalation in to the composition of charge of bismuth oxide allowed to get the satisfactory higher values of uniaxial magnetic anisotropy fields , Curie temperature with the simultaneous improvement of domain contrasting at the expense of increase of ions contents in MFGF. A presence in the charge of silicon oxide decreases the mismatch of films and substrates grates parameters to the values of Å. The determined intervals of oxides contents in the charge correspond to optimum magnetic parameters and their reproduction in growing of MFGF.
Кількість посилань – 12.
УДК 535.345.6
І.Я. Яремчук
Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки
ТЕХНОЛОГІЧНІ АСПЕКТИ СИНТЕЗУ БАГАТОШАРОВИХ ТОНКОПЛІВКОВИХ СТРУКТУР
Проаналізовано вплив похибки напилення шарів при одержанні багатошарових діелектричних та металодіелектричних систем на їхні оптичні характеристики. Проаналізовано найчутливіші шари, в яких навіть мінімальне відхилення від заданої товщини призводить до недопустимого спотворення спектральної кривої. Досліджено залежність півширини смуги пропускання від товщини діелектричних шарів з високим показником заломлення.
The analysis of influencing of error of deposition of layers at the receipt of multilayer dielectric and metal-dielectric systems on their optical characteristics was conducted. The most sensitive layers in what even minimum deviation from the control thickness results to impermissible deformation of spectral curve, was analyzed. It was researched dependence half-width of band of transmission from the thickness of dielectric layers with the high index of refraction.
Кількість посилань – 6.
