Елементи оптоелектроніки на основі рідкокристалічних матеріалів

Фечан А. В.
Код: 978-617-607-022-1
Монографія. Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2010. 216 с. Формат 145 х 215 мм. М'яка обкладинка.
Ціна:223,00грн.
Weight: 0 кг

Розглянуто застосування нематичних та холестерико-нематичних сумішей для створення пристроїв обробки та відображення оптичного сигналу. Висвітлено фізичну суть, теоретичні основи явищ та ефектів у рідких кристалах та пристроях оптоелектроніки на їхній основі. Подано перспективи застосування рідких кристалів у активних елементах оптичних систем передавання інформації та сенсорній техніці.
Для читачів, що цікавляться питаннями застосування рідких кристалів у пристроях відображення та обробки оптичної інформації.

Зміст

Передмова.

Розділ 1. Керування оптичними властивостями рідких кристалів зовнішнім електричним полем.
1.1. Ефекти в нематичних рідких кристаллах.
1.2. Електрооптичні ефекти в холестеричних рідких кристаллах.
1.3. Холестерико-нематичний перехід в індукованих холестериках.
1.4. Особливості текстурних та фазових переходів у тонких шарах немато-холестеричних сумішей.
1.5 Галузі застосування рідких кристалів.
Список літератури.

Розділ 2. Фізичні властивості рідкокристалічних матеріалів та параметри електрооптичних ефектів у них.
2.1. Крок надмолекулярної спіральної структури.
2.2. Критичні напруги холестерико-нематичного переходу.
2.3. Дослідження пружних констант нематико-холестеричних сумішей.
2.4. Вплив оптично активних домішок на в’язкість рідкокристалічних сумішей.
2.5. Динамічні характеристики ефекту холестерико-нематичного переходу.
Список літератури.

Розділ 3. Елементи та пристрої оптоелектроніки, основані на розсіюванні світла в рідких кристаллах.
3.1. Особливості модуляції світла в рідкокристалічних структурах на основі холестерико-нематичного переходу.
3.2. Низькочастотні модулятори лазерного випромінювання видимого діапазону.
3.3. Низькочастотні модулятори потужного лазерного випромінювання інфрачервоного діапазону.
3.4. Оптоелектронний частотно-амплітудний перетворювач.
3.5. Структури напівпровідник-рідкий кристал для подання та збереження інформації.
3.6. Методи підвищення контрасту пристроїв на основі ефекту холестерико-нематичного переходу.
3.7. Пороговий сенсор температури.
3.8. Аналогові сенсори напруги на основі ефекту холестерико-нематичного переходу.
3.9. Системи підсвічування дисплеїв портативних пристроїв.
Список літератури.

Розділ 4. Пристрої відображення інформації на основі структури наноструктурований електрохромний матеріал–рідкий кристал.
4.1. Застосування електрохромного ефекту в пристроях відображення інформації.
4.2. Електрохімічний синтез і структура спряжених поліаміноаренів на поверхні оксидно-станатних електродів.
4.3. Вплив електричного поля на оптичні спектри поліаміноаренів.
4.4. Інтеркаляція електрохромних полімерів у наноструктурований шар TiO2 методом
електрохімічної поляризації.
4.5. Підвищення однорідності електрохромних плівок.
4.6. Електрооптичні властивості іоннодопованих рідких кристалів.
4.7. Розсіювання світла на конфокальних доменах в індукованих холестеричних рідких кристаллах.
4.8. Методи створення кольорового електрохромного елемента для пристроїв відображення інформації.
Список літератури.

Розділ 5. Рідкокристалічні планарні світловодні структури у пристроях оптоелектроніки.
5.1. Моделювання профілю показника заломлення в градієнтному світловоді.
5.2. Дослідження зміни профілю показника заломлення за коноскопічними картинами.
5.3. Моделювання процесу поширення світла в планарних світловодних РК структурах зі змінним розподілом показника заломлення.
5.4. Планарні РК структури у пристроях оброблення і передавання оптичного сигналу.
5.5. Застосування планарних РК структур у сенсорах фізичних величин.
Список літератури.