№ 708 (2011)

УДК 621.315.592

В.Ю. Єрохов

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ПОРУВАТІ СТРУКТУРИ ДЛЯ МУЛЬТИТЕКСТУР ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

© Єрохов В.Ю., 2011

V.Yu. Yerokhov

POROUS STRUCTURE FOR SOLAR CELLS MULTITEXTURE

© Yerokhov V.Yu., 2011

Показана можливість створення мультитекстури фотоелектричного перетворювача на основі мультипоруватого кремнію. Розглянуті структурні моделі мультипоруватих текстур і технологічні процеси утворення двошарового поруватого кремнію на підложці p-Si. Спектри відбивання в діапазоні 0,4–1,1 мкм поверхні з мультипоруватою дзвіноподібною структурою показали понижений інтегральний коефіцієнт відбивання порівняно з класичними текстурними поверхнями.
Ключові слова: фотоелектричний перетворювач, поруватий кремній, мультитекстура, антивідбивне покриття, електрохімічна технологія.

Possibility of creation of multitexture of porous silicon is shown, as material of structure for frontal texture of photoelectric converter. The morphological elements model of porous silicon surface are considered relative different pore parameters are shown. The deriving the two-layer porous silicon is considered. The given technology was used for deriving on a surface of a silicon substrate of texture with bell-shaped pore of porous silicon which has been grown by chemical and electrochemical methods.
Key words: solar cell, porous silicon, multitexture, antireflection coating, electrochemical tehnology.

Кількість посилань 11

УДК 621.315.592

І.А. Большакова1, Р.Л. Голяка2, З.Ю. Готра2, Т.А. Марусенкова2

Національний університет “Львівська політехніка”
1кафедра напівпровідникової електроніки,
2 кафедра електронних приладів,

ПАРАМЕТРИ ТА МОДЕЛІ ДВОКООРДИНАТНОГО СКАНЕРА МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВІ РОЗЩЕПЛЕНИХ ХОЛЛІВСЬКИХ СТРУКТУР

 Большакова І.А., Голяка Р.Л., Готра З.Ю., Марусенкова Т.А., 2011

I. Bolshakova, R. Holyaka, Z. Hotra, T. Marusenkova

PARAMETERS AND MODELS OF TWO-COORDINATE MAGNETIC FIELD SCANNER ON THE SPLITTED HALL STRUCTURES

 Bolshakova I., Holyaka R., Hotra Z., Marusenkova T., 2011

Наведено аналіз характеристик сканерів магнітного поля на основі лінійок розщеплених холлівських структур. На відміну від традиційних лінійних сканерів магнітного поля, конструкція лінійок розщеплених холлівських структур дає змогу істотно підвищити роздільну здатність двокоординатного вимірювання просторового розподілу магнітного поля. Однак, відсутність симетрії потенціальних виводів у таких структурах потребує використання нових підходів у побудові схем формування сигналів і детальнішого аналізу залежності їхніх вихідних напруг від вектора індукції магнітного поля. Запропоновано параметричну модель сенсорів магнітного поля на основі лінійок розщеплених холлівських структур, спосіб їх калібрування та основні підходи в побудові просторових структурних моделей засобами FEMLAB та MATLAB.
Ключові слова: холлівські сенсори, розщеплені холлівські структури, двокоординат¬ні сканери магнітного поля, моделювання.

The work gives an analysis of the characteristics of magnetic field scanners on the splitted Hall structures. In contrast to ordinary line magnetic field scanners, the structure of lines of splitted Hall structures gives an opportunity to improve significantly the spatial resolution of two-coordinate measurements of the magnetic-field vector’s spatial distribution. However, the absence of potential electrodes symmetry in such structures require new approaches to design of wave-shaping circuits and further analysis of the dependence of their output voltages on the magnetic field vector. A parametric model of magnetic field sensors based on lines of splitted Hall structures, a method of their calibration and main approaches to building spatial structural models by means of FEMLAB and MATLAB are proposed.
Кey words: Hall sensor, splitted Hall structure, two-coordinate magnetic field sensors, modeling.

Кількість посилань 8

УДК 621.315.592

І.А. Большакова, Я.Я. Кость, О.Ю. Макідо, Р.М. Стецко, О.В. Швець, Ф.М. Шуригін

Національний університет “Львівська політехніка”,
лабораторія магнітних сенсорів

МОДЕЛЮВАННЯ ФІЗИКО-ХІМІЧНИХ ПРОЦЕСІВ РОСТУ КРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ InAs-GaAs

© Большакова І.А., Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Стецко Р.М., Швець О.В., Шуригін Ф.М., 2011

I. Bolshakova, Ya. Kost’, O. Makido, R. Stetsko, O. Shvets`, F. Shurygin

SIMULATION OF PHYSICAL AND CHEMICAL PROCESSES OF GROWING InAs-GaAs SOLID SOLUTION CRYSTALS

© Bolshakova I.А., Kost’ Ya., Makido O., Stetsko R., Shvets` O., Shurygin F., 2011

Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.
Ключові слова: моделювання, твердий розчин, мікрокристали, арсенід індію, арсенід галію.

Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.
Key words: modeling, solid solution, microcrystals, indium arsenide, gallium arsenide.

Кількість посилань 9

УДК 548.0:515.511

О.А. Бурий1, Д.М. Винник2, М.В. Кайдан3, А.С. Андрущак3

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
2Інститут матеріалів, Науково-виробниче підприємство “Карат”,
3Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра телекомунікацій

НОВИЙ МЕТОД ОПТИМІЗАЦІЇ ГЕОМЕТРІЇ АКУСТООПТИЧНОЇ ВЗАЄМОДІЇ В КРИСТАЛІЧНИХ МАТЕРІАЛАХ ДОВІЛЬНОГО КЛАСУ СИМЕТРІЇ

© Бурий О.А., Винник Д.М., Кайдан М.В., Андрущак А.С., 2011

О.А. Buryy, D.М. Vynnyk, М.V. Kaidan, А.S. Andrushchak

NEW METHOD OF OPTIMIZATION FOR THE ACOUSTOOPTIC INTERACTION GEOMETRY IN CRYSTALLINE MATERIALS OF ARBITRARY SYMMETRY CLASS

© Buryy О.А., Vynnyk D.М., Kaidan М.V., Andrushchak А.S., 2011

Запропоновано новий метод, який дає змогу провести оптимізацію геометрії акустооптичної взаємодії в кристалічних матеріалах, які є робочими елементами приладів, що працюють у режимі брегівської дифракції. Метод ґрунтується на аналізі екстремальних поверхонь параметра акустооптичної якості M2, під час побудови яких для будь-якого напрямку падаючої світлової хвилі із всіх можливих напрямків звукової хвилі, що дозволені законом збереження імпульсу, вибирається такий, який відповідає максимальному значенню параметра M2. На прикладі кристалів LiNbO3 проведено відповідні розрахунки та побудовані екстремальні поверхні параметра M2 для ізотропної та анаізотропної дифракції світлової хвилі довжиною 633 нм на трьох можливих акустичних хвилях частотою 500 МГц. Для кожної поверхні знайдено їхні максимальні значення та відповідні кутові параметри взаємодіючих хвиль. Досліджено також екстремальні поверхні для цих кристалів у діапазоні частоти акустичної хвилі від 10 до 2000 МГц та довжини електромагнітної хвилі від 488 до 1064 нм. Показано, що для кристалів LiNbO3 і вказаних умов найбільше значення параметра акустооптичної якості дорівнює 1810-15 c3/кг при частоті 800 МГц для випадку анізотропної дифракції на повільній квазіпоперечній акустичній хвилі.
Ключові слова: просторова анізотропія, пружнооптичний ефект, ніобат літію, акустооптичні модулятори.

The new method for optimization of the acoustooptic interaction geometry is proposed for the crystalline materials used in devices functioning in Bragg diffraction regime. The method is based on the analysis of the the extremal surfaces. These surfaces are obtained by optimization procedure consisted in the determination of such an acoustic wave propagation direction that maximizing the acoustoptical figure of merit M2 for each direction of the incident electromagnetic wave. For example the extremal surfaces of M2 are built for LiNbO3 crystals for isotropic and anisotropic difractions of light (633 nm) on three possible acoustic waves with frequncy of 500 MHz. The maximal values of M2 and the corresponding angle parameters of the interacted waves are determined for all extremal surfaces. The extremal surfaces for these crystals are also investigated for acoustic wave frequnces from 10 to 2000 MHz and for electromagnetic wavelengths from 488 to 1064 nm. It is shown that the highest value of the acoustooptical figure of merit is equal to 1810-15 c3/kg at the frequency of 800 MHz in the case of the anisotropic diffraction on the slow quasi-transversal acoustic wave.
Key words: spatial anisotropy, elasto-optical effect, lithium niobate, acousto-optical modulators.

Кількість посилань 11

УДК 621.315.592

О.А. Бурий1, С.Б. Убізський1,2, Д.Ю. Сугак1,2

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
2Інститут матеріалів, Науково-виробниче підприємство “Карат”

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ТА ОПТИМІЗАЦІЯ ПАРАМЕТРІВ МІКРОЧІПОВИХ ЛАЗЕРІВ НЕПЕРЕРВНОГО РЕЖИМУ РОБОТИ

© Бурий О.А., Убізський С.Б., Сугак Д.Ю., 2011

О.А. Buryy, S.B. Ubizskii, D.Yu. Sugak

THE COMPARATIVE ANALYSIS AND THE OPTIMIZATION OF CW MICROCHIP LASERS

© Buryy О.А., Ubizskii S.B., Sugak D.Yu., 2011

Розроблено процедуру оптимізації мікрочіпових лазерів неперервного режиму роботи. Проведено оптимізацію параметрів лазерів на основі GGG:Nd, YAP:Nd, YVO4:Nd, а також, з метою порівняння, YAG:Nd з різними довжинами хвиль генерації. Показано, що оптимальна концентрація активатора мікрочіпового лазера, що працює за чотирирівневою схемою лазерної генерації, визначається лише характером концентраційної залежності часу життя верхнього лазерного рівня. Отримано співвідношення, яке дозволяє визначити оптимальну товщину активного середовища мікрочіпового лазера. Показано, що під час забезпечення оптимальних значень параметрів лазера, диференціальний ККД та потужність випромінювання, які можуть бути досягнуті при заданій інтенсивності накачування, визначаються, переважно, величиною стоксівських втрат матеріалу.
Ключові слова: ітрій-алюмінієвий гранат, ітрій-алюмінієвий перовськит, гадоліній-галієвий гранат, ортованадат ітрію, твердотільний лазер.

The method for optimization of the cw microchip lasers is proposed. The optimization is carried out for GGG:Nd–, YAP:Nd–, YVO4:Nd–lasers and, for comparison, for YAG:Nd–laser with different wavelengths. It is found that the optimal activator concentration for the fourth-level laser is determined only by the concentration dependence of the upper laser level lifetime. The dependence for determination of the optimal width of the active medium is obtained. It is shown that at optimal values of the laser parameters and at fixed value of the pumping beam intensity the slope efficiency and the laser power are essentially determined by Stokes losses of the material.
Key words: yttrium-aluminium garnet, yttrium-aluminium perovskite, gadolinium-gallium garnet, yttrium orthovanadate, solid-state laser.

Кількість посилань 30

УДК 621.315.592

М.М. Ваків, С.І. Круковський, Р.С. Круковський

Науково-виробниче підприємство “Карат”

ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ Bi-InSb

© Ваків М.М., Круковський С.І., Круковський Р.С., 2011

M.M. Vakiv, S.I. Krukovsky, R.S. Krukovsky

INVESTIGATION OF PHASE EQUILIBRIUM IN Bi-InSb SYSTEM

© Vakiv M.M., Krukovsky S.I., Krukovsky R.S., 2011

Експериментально, методом термо-гравітаційного аналізу, досліджено лінію ліквідуса в системі Bi-InSb в інтервалі температур 450–300 °С. Експериментальні дані по розчинності стібіуму у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються із розрахунковими, визначеними згідно з методом, який базується на строгій термодинамічній моделі конденсованого стану.
Ключові слова: лінія ліквідуса в системі Bi-InSb, термодинамічна модель конденсованого стану

Experimentally, using thermal-gravity analysis, liquidus line in Bi-InSb system has been researched at 450–300 °С temperature range. Experimental data on the solubility of Sb in bismuth melts are relevant with estimates, obtained according to the method, based on accurate thermodynamic model of condensed state.
Key words: liquid-phase epitaxy, heavily doped layers, epitaxial structures, the high substrate, resistivity.

Кількість посилань 9

УДК 621.315.592

М.М. Ваків1,2, С.І. Круковський2, В.Р. Тимчишин1,2

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
2Науково-виробниче підприємство “Карат”

НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА РІДИННОФАЗНА ЕПІТАКСІЯ p-Si ШАРІВ У СКЛАДІ p-i-n Si ВИСОКОВОЛЬТНИХ СТРУКТУР

 Ваків М.М., Круковський С.І., Тимчишин ВР., 2011

M.M. Vakiv, S.I. Krukovsky, V.R. Tumchushun

LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY OF p-Si LAYERS IN COMPOSITION OF p-i-n Si HIGH-VOLTAGE STRUCTURES

 Vakiv M.M., Krukovsky S.I., Tumchushun V.R., 2011

Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС.
Ключові слова: сильно леговані шари, епітаксіальні структури, висока підстава, відчутний опір.

It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range.
Кey words: liquid-phase epitaxy, heavily doped layers, epitaxial structures, the high substrate, resistivity.

Кількість посилань 4

УДК 621.374.55

Д.М. Винник1, Д.Ю. Сугак1,2, Н.Я. Генега1, В.Г. Гайдучок1, О.В. Юркевич3, А.С. Андрущак3

1Науково-виробниче підприємство “Карат”, Львів, Україна,
2Національний університет “Львівська політехніка”, кафедра фотоніки,
3Національний університет “Львівська політехніка”, кафедра телекомунікацій,
4Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

УЗГОДЖЕННЯ АКУСТООПТИЧНОЇ НВЧ КОМІРКИ БРЕГГА У ШИРОКІЙ СМУЗІ РОБОЧИХ ЧАСТОТ

© Винник Д.М., Сугак Д.Ю., Генега Н.Я., Гайдучок В.Г., Юркевич О.В., Андрущак А.С., 2011

D.M. Vynnyk, D.Y. Sugak, N.Ya. Heneha, V.G. Hayduchok, O.V. Yurkevych, A.S. Andrushchak

MATCHING OF THE VHF BRAGG ACOUSTO-OPTIC CELL IN THE WIDE FREQUENCY RANGE

© Vynnyk D.M., Sugak D.Y., Heneha N.Ya., Hayduchok V.G., Yurkevych O.V., Andrushchak A.S., 2011

Розглянуто питання широкосмугового узгодження опору надвисокочастотної (НВЧ) акустооптичної комірки Брегга, яка має центральну робочу частоту f0 = 800 МГц, з опором генератора НВЧ сигналів. Застосований в роботі метод ґрунтується на розрахунку фільтрів з використанням ланцюжків узгодження прототипів нижніх частот. На прикладі комірки, побудованої на основі кристала ніобату літію з використанням зустрічно-штирових п’єзоперетворювачів для збудження об’ємної акустичної хвилі, показано, що за допомогою структури узгодження, розрахованої цим методом, можна досягти задовільного коефіцієнта стоячої хвилі за напругою, який не перевищує значення 3 у робочій смузі частот Δf = 0,6 f0.
Ключові слова: кристали ніобату літію, зустрічно-штировий перетворювач, надвисокочастотна акустооптична комірка, широкосмугове узгодження

The impedances matching of the VHF generator and the VHF Bragg acousto-optic cell in the wide frequency range input and central frequency of 800 MHz has been discussed. The method exploited is based on the filter calculation using low-frequency circuit prototypes. It is shown that using lithium niobate and interdigital piezotransduсers for bulk acoustic wave excitation the suggested approach allows to reach the standing wave coefficient which does not exceed 3 for the working bandwidth of Δf = 0,6 f0.
Key words: lithium niobate crystals, interdigital transducers, VHF acoustooptic cell, matching in the wide frequency range

Кількість посилань 11

УДК 621.315.592:539.213

Р.Я. Головчак

Науково-виробниче підприємство “Карат”, вул. Стрийська, 202, 79031, Львів, Україна

ДИНАМІКА ТЕРМОІНДУКОВАНИХ НАНОСТРУКТУРНИХ ПЕРЕТВОРЕНЬ У ХАЛЬКОГЕНІДНОМУ СКЛІ

 Головчак Р.Я., 2011

R. Golovchak

DYNAMICS OF THERMOINDUCED NANOSTRUCTURAL PERTURBATIONS IN CHALCOGENIDE GLASSES

 Golovchak R., 2011

Досліджено динаміку наноструктурних перетворень у зістарених халькогенідних стеклах систем As-Se та Ge-Se під час їх нагрівання зі швидкістю 5 К/хв від склоподібного стану до стану переохолодженої рідини. Отримані температурні залежності міжатомних віддалей (R) та фактора Дебая-Уоллера (02), який пов’язаний з невпорядкованістю, показують значні відхилення від очікуваної лінійної поведінки для атомів Se усіх халькоген-збагачених зразків обох досліджуваних систем (окрім чистого склоподібного селену). До того ж для атомів As і Ge залежності R(T) та 02(T) мають лінійний характер за винятком As-збагачених стекол, де відхилення від лінійності спостерігається і для параметрів ближнього порядку атомів As.
Ключові слова: халькогенідне скло, термоіндуковані наноструктурні перетво¬рення, параметри ближнього порядку.

The in situ structural studies are performed to obtain the information on a real-time response of As-Se and Ge-Se network glasses at the nanoscale level of their atomic organization to the temperature ramp through the glass transition range. The results testify nonlinear, real-time temperature response of nearest neighbor distance (R) and Debye-Waller factor (02) of Se atoms indicative of nanoscale dynamic heterogeneity in disordered systems with intermediate fragility, related to the inter-metabasin transitions within potential energy/enthalpy landscape. On the other hand, the short-range ordering parameters for As and Ge atoms exhibit a near linear temperature dependence except the As-rich samples, where comparable deviations are observed for both constituent chemical elements.
Key words: chalcogenide glasses, thermoinduced nanostructural perturbations, short-range order.

Кількість посилань 26

УДК 621.39

І.В. Горбатий

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра телекомунікацій

ПЕРЕДАВАННЯ ІНФОРМАЦІЇ У ВОЛОКОННО-ОПТИЧНИХ СИСТЕМАХ ІЗ ВИКОРИСТАННЯМ СУЧАСНИХ МЕТОДІВ ФОРМУВАННЯ ТА ОБРОБЛЕННЯ СИГНАЛІВ

 Горбатий І.В., 2011

I.V. Gorbatyy

TRANSMISSION OF INFORMATION IN THE FIBER OPTIC TELECOMMUNICATION SYSTEMS WITH THE USE OF MODERN METHODS OF FORMING AND PROCESSING OF SIGNALS

 Gorbatyy I.V., 2011

Запропоновано адаптивний метод передавання інформації у волоконно-оптичній системі передавання інформації (ВОСПІ) з використанням різновидів модуляції (бінарної фазової маніпуляції – БФМн, квадратурної фазової маніпуляції – КФМн та квадратурної амплітудної модуляції – КАМ) ортогонально-поляризованих складових оптичної хвилі та структурні схеми передавального й приймального пристроїв ВОСПІ.
Ключові слова: адаптивний метод передавання інформації, волоконно-оптична система передавання інформації, ортогонально-поляризовані складові.

Adaptive method of the transmission of information in the fiber optic telecommunication system (FOTS) with the use of varieties of modulation (binary phase manipulation – BPSK, quadrature phase manipulation – QPSK and quadrature amplitude modulation – QАМ) of orthogonal-polarize components of optical wave and flow diagrams of transmitting and receiving devices of FOTS ware offered.
Key words: adaptive method of the transmission of information, fiber optic telecommu¬nication system, orthogonal-polarize components.

Кількість посилань 6

УДК 535.394

З.Ю. Готра1, 2, П.Й. Стахіра1, В.В. Черпак1, Д.Ю. Волинюк1, С.В. Хом’як3 Л.Ю. Возняк1, В.М. Сорокін4, А.В. Рибалочка4, О.С. Олійник4

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних приладів
2 Жешівська політехніка
3 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра технології біологічно активних сполук, фармації та біотехнології
4Інститут фізики напівпровідників НАН України

ВЛАСТИВОСТІ ОРГАНІЧНОГО СВІТЛОДІОДА НА ОСНОВІ ПІРАЗОЛІНУ, ЗАМІЩЕНОГО В ПОЛОЖЕННІ 5 ЕКРАНОВАНИМ ФЕНОЛОМ

© Готра З.Ю., Стахіра П.Й., Черпак В.В., Волинюк Д.Ю., Хом’як С.В., Возняк Л.Ю., Сорокін В.М., Рибалочка А.В., Олійник О.С., 2011

Z.Yu. Hotra, P.Y. Stakhira, V.V. Cherpak, D.Yu. Volynyuk, S.V. Homyak, L.Yu. Voznyak, V.M.Sorokin, A.V. Rybalochka, O.S. Oliynyk

ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE WITH PYRAZOLINE DERIVATIVES AS EMITTING LAYER

© Hotra Z.Yu., Stakhira P.Y.,Cherpak V.V., Volynyuk D.Yu., Homyak S.V., Voznyak L.Yu., Sorokin V.M., Rybalochka A.V., Oliynyk O.S., 2011

Досліджені електролюмінісцентні властивості плівок 2,6-ди-трет.-бутил-4-(2,5-дифеніл-3,4-дигідро-2Н-піразол-3-іл)-фенолу в структурі органічного світлодіоду. Проведено моделювання положення енергій вищих заповнених (НОМО) та нижчих незаповнених (LUMO) молекулярних орбіталей HPhP, на основі чого запропонована і реалізована світловипромінююча структура ITO/СuI/HPhP/Ca:Al. Наведені вольт-амперна та вольт-яскравісна характеристики розробленої структури.
Ключові слова: синій органічний світлодіод, електролюмінісценція, піразолін

Using 2,6-di-tert.-butyl-4-(2,5-diphenyl-3,4-dihydro-2H-pyrazol-3-yl)-phenol film as emitting layer in organic light emitting diodes (OLED) was proposed. Energies of highest occupied molecular orbital and lowest unoccupied molecular orbital was modeled and determined. Electroluminescent structure ITO/СuI/HPhP/Ca:Al was realized. Current – density – voltage and luminescent characteristics was measured.
Key words: Blue Organic Light Emitting Diodes, electroluminescence, pyrazoline

Кількість посилань 15

УДК 621.373.826:61

І.В. Демкович, Г.А. Петровська, В.П. Олешкевич, Я.В. Бобицький

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки

МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ ВЗАЄМОДІЇ ВИПРОМІНЮВАННЯ З СЕРЕДОВИЩАМИ З ВРАХУВАННЯМ ПОГЛИНАННЯ ТА РОЗСІЯННЯ

© Демкович І.В., Петровська Г.А., Олешкевич В.П., Бобицький Я.В., 2011

I.V. Demkovytch, H.A. Petrovska, V.P. Olechkevytch, Ya.V. Bobitski

DESIGN OF THE INTERACTION RADIATION WITH MEDIA CONSIDERING OF ABSORPTION AND SCATTERING

© Demkovytch I.V., Petrovska H.A., Olechkevytch V.P., Bobitski Ya.V., 2011

Розроблено математичну модель та програмне забезпечення для моделювання процесів взаємодії випромінювання з середовищами з врахуванням їх гетерогенних властивостей та особливостей поглинання і розсіяння в окремих шарах. Розподіл інтенсивності випромінювання у разі поширення через розсіювальне середовище моделюється за методом Монте-Карло, для розрахунку температурних полів використано чисельний метод.
На прикладі живої тканини, що містить доброякісну судинну патологію, проведено моделювання розподілу температури в шарах шкіри у разі дії на неї лазерного випромінювання з врахуванням реальних параметрів поглинання і розсіяння кожного шару.
Ключові слова: розсіяння, поглинання, теорія перенесення випромінювання, математичне моделювання, метод Монте-Карло.

Mathematical model and software for the design of the interaction radiation with different media considering the features of the absorption and scattering is developed. Intensity distribution of the radiation at propagation through scattering media has been designed by the Monte Carlo method. The temperature fields are calculated by the numerical method.
The model is tested on specimen of the living tissue. The design of propagation of the radiation in living tissue, containing of high quality vascular pathology is conducted. Heterogeneous properties and real parameters of absorption and scattering of every tissues layer are taken into account for modeling.
Key words: dispersion, absorption, theory of transference of radiation, design, method of Monte Carlo.

Кількість посилань 13

УДК 621.315.592

А.О. Дружинін, О.П. Кутраков, І.Й. Мар’ямова

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ТЕНЗОРЕЗИСТИВНІ СЕНСОРИ ТИСКУ НА ОСНОВІ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ДЛЯ ШИРОКОГО ДІАПАЗОНУ ТЕМПЕРАТУР

© Дружинін А.О, Кутраков О.П, Мар’ямова І.Й., 2011

A.A. Druzhinin, A.P. Kutrakov, I.I. Maryamova

PIEZORESISTIVE PRESSURE SENSORS BASED ON SILICON WHISKERS FOR THE WIDE TEMPERATURE RANGE

© Druzhinin A.A., Kutrakov A.P., Maryamova I.I., 2011

Проведено комплексні дослідження, спрямовані на створення тензорезистивних сенсорів тиску на основі ниткоподібних кристалів кремпію, працездатних в умовах кріогенних та високих температур. В основу конструкції сенсора покладено систему мембрана – шток – балка з універсальним тензомодулем. Наведено вихідні характерристики розроблених сенсорів.
Ключові слова: тензорезистивні сенсори тиску, ниткоподібні кристали.

Complex studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors on the basis of silicon whiskers operating at cryogenic and high temperatures were carried out. The sensor’s design is based on the diaphragm – rod – beam system with the universal strain unit. Output characteristics of the developed sensors are presented.
Кey words: piezoresistive pressure sensore sensors, whiskers.

Кількість посилань 8

УДК.621.3.049

А.О. Дружинін 1, I.T. Когут2, В.І. Голота2, В.В. Довгий2

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки;
2Прикарпатський національний університет, м. Івано-Франківськ,
кафедра радіофізики і електроніки

ПРИЛАДНО-ТЕХНОЛОГІЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ НАНОРОЗМІРНИХ ТРИВИМІРНИХ КНІ-СТРУКТУР

© Дружинін А.О., Когут І.Т., Голота В.І., Довгий В.В., 2011

А.О. Druzhinin1, I.T. Коgyt2, V.І. Golotа2, V.V. Dovhy2

INSTRUMENT TECHNOLOGICAL DESIGN OF NANOSCALED THREE-DIMENSIJNAL SOI-STRUCTURES

© DruzhininА.О., Коgyt I.T., Golotа V.І., Dovhy V.V., 2011

Розроблено оригінальні методи формування локальних нестандарних дворівневих тривимірних структур «кремній-на-ізоляторі» (КНІ), які за сумісними технологіями виготовлення конструктивно можуть бути комбіновані з одно- або дворівневими мікропорожнинами під поверхнею кремнієвої пластини. Виконано приладно-технологічне моделювання таких структур. На основі тривимірних КНІ структур розроблено і оптимізовано конструкцію комбінованого МОН транзистора, промодельовано його електричні і теплові характеристики. Показано, що запропоновані тривимірні КНІ-структури є перспективними для проектування елементної бази як зі стандартними, планарними конструкціями, так і з об’ємними, тривимірними архітектурами для побудови на цій основі інтегральних схем, мікросистем- та мікролабораторій-на-кристалі. Показано, що комбінований МОН транзистор можна використовувати для виготовлення нанорозмірних пристроїв.
Ключові слова: приладно-технологічне моделювання, кремній-на-ізоляторі, мікросистеми-на-кристалі, комбінований МОН транзистор.

In this paper the original formation methods of the local nonstandard with one- and two layers 3D “silicon-on-insulator”(SOI) structures are developed. These structures are combined with one- and two levels of microcavities under surface of silicon wafer. The device technological simulation of such structures is provided. Are shown that proposed 3D SOI structures are a perspective material for the elements design as well as with standard planar constructions on the bulk silicon and 3D architectures for IC, system-on-chip (SoC) and laboratories-on-chip (LoC). Proposed combined MOS transistor may be used for fabrication nanoscale devices.
Key words: device technological simulation, silicon-on-insulator, system-on-chip, combined MOS transistor.

Кількість посилань 10

УДК 544.22.022.342; 535.34; 535.37

Я.А. Жидачевський1, Д.Ю. Сугак1,2, І.І. Сиворотка2, І.Д. Борщишин1, А.П. Лучечко3

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
2 Науково-виробниче підприємство “Карат”, м. Львів,
3Львівський національний університет імені Івана Франка

ТЕРМОЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ НАНОКРИСТАЛІЧНИХ ПОРОШКІВ YAG ТА YAG:Nd В ДІАПАЗОНІ ТЕМПЕРАТУР 300–700 К

 Жидачевський Я.А., Сугак Д.Ю., Сиворотка І.І., Борщишин І.Д., Лучечко А.П., 2011

Ya.A. Zhydachevskii, D.Yu. Sugak, I.I. Syvorotka, I.D. Borshchyshyn, A.P. Luchechko

THERMOLUMINESCENT PROPERTIES OF YAG AND YAG:Nd NANOCRYSTALLINE POWDERS IN THE 300–700 K TEMPERATURE RANGE

 Zhydachevskii Ya.A., Sugak D.Yu., Syvorotka I.I., Borshchyshyn I.D., Luchechko A.P., 2011

Робота присвячена експериментальному дослідженню термолюмінесцентних (ТЛ) властивостей нанокристалічних та полікристалічних зразків YAG в діапазоні температур 300–700 К. Досліджувались нанорозмірні порошки YAG, одержані методом золь-гель, як номінально бездомішкові, так і леговані іонами неодиму, а також полікристалічні зразки YAG, леговані марганцем, одержані плавленням в інертній атмосфері. Робота містить аналіз процесів захоплення та рекомбінації носіїв заряду за участі власних точкових дефектів структури та домішкових іонів.
Ключові слова: YAG; золь-гель метод; термолюмінесценція; точкові дефекти.

The work is devoted to experimental study of thermoluminescent (TL) properties of nanocrystalline and polycrystalline YAG samples in the 300–700 K temperature range. In particular, nominally pure and neodymium-doped YAG nanopowders obtained by sol-gel method as well as manganese-doped polycrystalline YAG obtained by melting technique have been studied. The work contains analysis of the trapping and recombination processes with participation of intrinsic point defects and dopant ions.
Key words: YAG; sol-gel method; thermoluminescence; point defects.

Кількість посилань 9

УДК 621.315.592

Д.М. Заячук, Р.М. Мишак

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ДРІБНІ КОМПЛЕКСИ МАГНІТНИХ ДОМІШОК У ДІАМАГНІТНІЙ МАТРИЦІ: МАГНІТНА СПРИЙНЯТЛИВІСТЬ І ТЕМПЕРАТУРА КЮРІ

© Заячук Д.М., Мишак Р.М., 2011

D.M. Zayachuk, R.M. Myshak

SMALL COMPLEXES OF THE MAGNETIC IMPURITIES INTO DIAMAGNETIC MATRIX: MAGNETIC SUSCEPTIBILITY AND CURIE TEMPERATURE

© Zayachuk D.M., Myshak R.M., 2011

Проведено моделювання намагніченості і магнітної сприйнятливості (МС) дрібних комплексів магнітних домішок у діамагнітній кристалічній матриці – одиничних центрів, пар і триплетів магнітних домішок з феромагнітною і антиферомагнітною обмінною взаємодією – як функції індукції магнітного поля, температури і величини обмінних інтегралів. Підтверджено, що температурна залежність високотемпературної парамагнітної МС як окремих комплексів, так їх сукупності добре описується законом Кюрі – Вейса. Водночас показано, що на відміну від феромагнетиків чи антиферомагнетиків, температура Кюрі θр для домішок феромагнітних чи антиферомагнітних елементів у діамагнітній матриці не несе однозначної інформації про величину обмінних інтегралів, а в загальному випадку – навіть про тип обмінної взаємодії між магнітними домішками.
Ключові слова: магнітна сприйнятливість, обмінна взаємодія, температура Кюрі, комплекси.

Magnetization and magnetic susceptibility (MS) of the small complexes of magnetic impurities into the crystal diamagnetic matrix, namely single centers, pairs, and triplets of the magnetic impurities with ferromagnetic and antiferromagnetic exchange interaction as a function of magnetic field induction, temperature and magnitude of the exchange integrals is simulated. It is confirmed that the temperature dependence of high temperature paramagnetic MS of both the different complexes and their aggregate can be properly described by the Curie – Weiss law. At the same time it is shown that the Curie temperature for the impurities of ferromagnetic and antiferromagnetic elements as contrasted with ferromagnet and antiferromagnet does not give the unambiguous information about the magnitude of exchange integrals. Furthermore, in the general case it does not give even the certain information about the type of exchange interaction between the magnetic impurities.
Key words: Magnetic susceptibility, Exchange interaction, Curie temperature, Complexes.

Кількість посилань 16

УДК 537.312:621.315.592.4

Г.І. Клим1,2, І.В. Гадзаман2,3, О.Й. Шпотюк2

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра спеціалізованих комп’ютерних систем
2Науково-виробниче підприємство “Карат”,
3Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка

НАНОСТРУКТУРОВАНІ ТЕМПЕРАТУРНО- ТА ВОЛОГОЧУТЛИВІ СЕНСОРНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ ШПІНЕЛЬНОЇ КЕРАМІКИ

© Клим Г.І., Гадзаман І.В., Шпотюк О.Й., 2011

H.I. Klym, I.V. Hadzaman, O.I. Shpotyuk

NANOSTRUCTURED TEMPERATURE-HUMIDITY-SENSITIVE SENSOR STRUCTURES BASED ON SPINEL CERAMICS

© Klym H.I., Hadzaman I.V., Shpotyuk O.I., 2011

Проаналізовано можливості одержання наноструктурованих температурно- та вологочутливих товстоплівкових структур на основі напівпровідникової та діелектричної кераміки різних хімічних складів Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (з p+-типом електричної провідності), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (з p-типом електричної провідності) та діелектричної кераміки MgAl2O4 (і-тип). Показано, що температурночутливі товсті плівки мають чутливість на ділянці температур від 298 до 368 К, а вологочутливі – на ділянці відносних вологостей від 40 до 98 %. Одержані товстоплівкові структури можна успішно застосовувати для одержання інтегрованих температурно-, вологочутливих сенсорів моніторингу та контролю навколишнього середовища.
Ключові слова: шпінель, товста плівка, багатошарова структура, інтегрований сенсор

Nanostructured temperature and humidity-sensitive thick-film structures based on spinel-type semiconducting and dielectric ceramics of different chemical composition Cu0,1Ni0,1Co1,6Mn1,2O4 (with p+-types of electrical conductivity), Cu0,1Ni0,8Co0,2Mn1,9O4 (with p-types of electrical conductivity) and insulating (i-type) MgAl2O4 ceramics were fabricated and studied. It is shown that temperature-sensitive thick films possess sensitivity in the region from 298 to 358 K and humidity-sensitive thick films are sensitive from 40 to 98 %. Obtained thick-film structures can be successfully applied for integrated temperature-humidity sensors of environmental monitoring and control.
Key words: spinel, thick film, multilayer structure, integrated sensor.

Кількість посилань 18

УДК 621.315.592

Я.Я. Кость, О.Ю, Макідо, Р.М. Стецко, О.В. Швець, А.П. Штабалюк, Ф.М. Шуригін

Національний університет “Львівська політехніка”,
лабораторія магнітних сенсорів

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ АНАЛІЗ ГАЗОВОЇ ФАЗИ СИСТЕМИ Ge-I2

© Кость Я.Я., Макідо О.Ю., Стецко Р.М., Швець О.В., Штабалюк А.П., Шуригін Ф.М., 2011

Ya. Kost’, O. Makido, R. Stetsko, O. Shvets`, A. Shtabaliuk, F. Shurygin

THERMODYNAMIC ANALYSIS OF Ge-I2 SYSTEM GAS PHASE

© Kost’ Ya., Makido O., Stetsko R., Shvets` O., Shtabaliuk A., Shurygin F., 2011

Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів.
Ключові слова: германій, індій, мікрокристали, хімічні транспортні реакції, термодинамічний аналіз.

The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.
Key words: germanium, indium, microcrystals, chemical transport reactions, thermodynamic analysis.

Кількість посилань 8

УДК 621.315.592

І.В. Курило1, І.О. Рудий1, І.Є. Лопатинський1, М.С. Фружинський1, І.С. Вірт2, П. Потера3, Г. Лука4

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фізики, кафедра напівпровідникової електроніки
2Дрогобицький державний педагогічний університет імені І.Франка, Україна
3Жешувський університет, м. Жешув, Польща
4Інститут фізики ПАН, м. Варшава, Польща

СТРУКТУРНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКИХ ПЛІВОК ZnO ТА ZnMnO

© Курило І.В., Рудий І.О., Лопатинський І.Є., Фружинський М.С., Вірт І.С., Потера П., Лука Г., 2011

I.V. Kurilo, I.O. Rudyi, I.Ye. Lopatynskyi, M.S. Fruginskyi, I.S. Virt,, P. Potera, G. Luka

STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF ZnO AND ZnMnO THIN FILMS

© Kurilo I.V., Rudyi I.O., Lopatynskyi I.Ye., Fruginskyi M.S., Virt I.S., Potera P., Luka G., 2011

Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок ZnO та ZnMnO. Методом імпульсного лазерного осадження в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладки зі скла, Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 Торр. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм залежно від числа імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії. Структуру плівок досліджували методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання, оптичне поглинання та фотолюмінесценцію плівок ZnO та ZnMnO, осаджених за різних температур.
Ключові слова: оксид цинку, тонкі плівки, структура, оптичні властивості.

The results of experimental investigation of structural and optical properties of ZnO and ZnMnO films are presented in this work. The films of ZnO and ZnMnO of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission, absorption and photoluminescence spectra of ZnO and ZnMnO deposited at various temperatures films were investigated
Key words: zinc oxide, thin films, structure, optical properties

Кількість посилань 15

УДК 621.315.592

В.І. Мандзюк , Н.І. Нагірна , Р.П. Лісовський, Б.І. Рачій , Я.Т. Соловко , Р.І. Мерена

Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника, вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76025, Україна

ВПЛИВ ТЕРМІЧНОЇ ОБРОБКИ ПОРИСТОГО ВУГЛЕЦЮ НА ПИТОМІ ЕНЕРГОЄМНІСНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛІТІЄВИХ ДЖЕРЕЛ ЖИВЛЕННЯ НА ЙОГО ОСНОВІ

© Мандзюк В.І., Нагірна Н.І., Лісовський Р.П., Рачій Б.І., Соловко Я.Т., Мерена Р.І., 2011

V.I. Mandzyuk, N.І. Nagirna, R.P. Lisovskiy, B.I. Rachiy, Y.T. Solovko, R.I. Merena

THE EFFECT OF THERMAL TREATMENT OF POROUS CARBON ON SPECIFIC ENERGY CHARACTERISTICS OF LITHIUM POWER SOURCES ON ITS BASIS

© Mandzyuk V.I., Nagirna N.І., Lisovskiy R.P., Rachiy B.I., Solovko Y.T , Merena R.I., 2011

Розглянуто вплив умов одержання пористого вуглецю на питомі розрядні характеристики (питома ємність та питома енергія) літієвих первинних джерел живлення, виготовлених на його основі. Встановлено, що значення питомої ємності електрохімічного елемента немонотонно залежить від температури одержання пористого вуглецю з її максимумом (1355 мА•год/г) при 750 °С. Основною причиною такої поведінки є відповідність величини питомої поверхні активного електродного матеріалу до температури його отримання.
Ключові слова: пористий вуглець, питома ємність, питома енергія, питома поверхня.

The effect of receipt conditions of porous carbon on specific discharge characteristics (specific capacity and specific energy) of the porous carbon-based lithium primary sources is considered. It is shown, that the value of specific capacity of the electrochemical element non-monitonically depends on the temperature of obtaining of porous carbon with its maximum (1355 mA•h/g) at 750 °C. The principal reason of such the behaviour is the conformity of specific surface value of active electrode material to the temperature of its obtaining.
Key words: porous carbon, specific capacity, specific energy, specific surface.

Кількість посилань 26

УДК 621.315.592

І.Й. Мар’ямова, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, О.П. Кутраков, І.Т. Когут, Н.С. Лях-Кагуй

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА НИТКОПОДІБНІ КРИСТАЛИ КРЕМНІЮ І ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Si-Ge

© Мар’ямова І.Й., Островський І.П., Ховерко Ю.М., Кутраков О.П., Когут І.Т., Лях-Кагуй Н.С., 2011

I. Maryamova, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, A. Kutrakov, I. Kogut, N. Liakh-Kaguy

INFLUENCE OF ELECTRON IRRADIATION ON SILICON AND Si-Ge SOLID SOLUTION WHISKERS

© Maryamova I., Ostrovskii I., Khoverko Yu., Kutrakov A., Kogut I., Liakh-Kaguy N., 2011

Досліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф11017ел/см2.
Ключові слова: електронне опромінення, низькотемпературна провідність, магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу.

Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф11017еl/cm2.
Key words: electron irradiation, low-temperature conductivity, magnetoresistance of Si whiskers and Si1-xGex p-type.

Кількість посилань 7

УДК 535.37

В.П. Махній1, В.В. Мельник1, М.М. Сльотов1, І.В. Ткаченко2

1 Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна, e-mail: volvmel@mail.ru
2 Чернівецький торгово-економічний інститут, Центральна пл., 6, 58001 Чернівці, Україна

ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ІЗОВАЛЕНТНО-ЗАМІЩЕНИХ ШАРІВ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ

© Махній В.П., Мельник В.В., Сльотов М.М., Ткаченко І.В., 2011

V.P. Machniy, V.V. Melnyk, M.M. Sliotov, I.V. Tkachenko

OPTICAL PROPERTIES OF ISOVALENT-SUBSTITUTED CADMIUM SELENIDE LAYERS

© Machniy V.P., Melnyk V.V., Sliotov M.M., Tkachenko I.V., 2011

На підкладинках селеніду цинку методом ізовалентного заміщення виготовлено шари Cd1xZnxSe, склад яких визначається температурою відпалу і визначено умови синтезу шарів селеніду кадмію кубічної модифікації. Досліджено оптичні властивості отриманих шарів і встановлено механізми випромінювальної рекомбінації.
Ключові слова: селенід цинку, селенід кадмію, ізовалентне заміщення, люмінесценція, оптичне відбивання.

Layers of Cd1–xZnxSe by isovalent substitution are produced on ZnSe substrates. Their composition is determined by annealing temperature. The conditions for synthesis of cadmium selenide layers of cubic modification are defined. The optical properties of the obtained layers and the mechanisms of emissivity recombination are investigated.
Key words: zinc selenide, cadmium selenide, isovalent substitution, luminescence, optical reflection.

Кількість посилань 5

УДК 621.317.4

Л.П. Павлик1, С.Б. Убізський1, А.Б. Лозинський2, Г.В. Савицький3

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
2 Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України,
3 Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України

ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНЕ ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУМОВОГО ВІДГУКУ ФЕРОЗОНДОВОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА ЗІ ЗБУДЖЕННЯМ ДИСКОВОГО ОСЕРДЯ МАГНІТНИМ ПОЛЕМ, ЩО ОБЕРТАЄТЬСЯ В ЙОГО ПЛОЩИНІ

 Павлик Л.П., Убізський С.Б., Лозинський А.Б., Савицький Г.В., 2011

L.P. Pavlyk, S.B. Ubizskii, A.B. Lozynskyy, G.V. Savytskyy

EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF THE CURRENT RESPONSE OF THE FLUXGATE TRANSDUCER WITH THE DISC CORE EXCITED BY THE MAGNETIC FIELD ROTATING IN ITS PLANE

 Pavlyk L.P., Ubizskii S.B., Lozynskyy A.B., Savytskyy G.V., 2011

Побудовано модель відгуку ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги на дію магнітного поля у площині осердя. Підтверджено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму в котушці збудження. Наводяться результати вимірювання залежності чутливості для різних частот збудження від його амплітуди, які добре узгоджуються з розрахунковими.
Ключові слова: ферозонд, обертальне перемагнічування, індуктивний відгук.

The response model of the fluxgate with rotation magnetization reversal of isotropic disk core under harmonic voltage driving excitation has been developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was confirmed that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. Results of the experimental measurement of the fluxgate sensitivity dependences upon the excitation field amplitude at different frequencies are presented and they coincide well with calculated ones.
Key words: fluxgate, rotational magnetization reversal, inductive response.

Кількість посилань 10

Професору Ярославові Степановичу Буджаку – 80

УДК 621.3.049.772.2:621.372.54

А.Й. Семенюк, Я.Д. Лоб, Д.Т. Дячок1, В.Г. Немеш2

1Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут
2Науково-виробниче підприємство “Мікротех Карат”, м. Львів

ВИГОТОВЛЕННЯ ТОВСТОПЛІВКОВОГО НВЧ-ФІЛЬТРА З ВИКОРИСТАННЯМ ФОТОПОЛІМЕРИЗОВАНОЇ ПАСТИ

 Семенюк А.Й., Лоб Я.Д., Дячок Д.Т., Немеш В.Г., 2011

A.Y. Semenyuk, Y.D. Lob, D.T. Dyachok, V.G. Nemesh

MANUFACTURING OF THICK-FILM MICROWAVE FILTER USING OF PHOTOSENSITIVE PASTE

 Semenyuk A.Y., Lob Y.D., Dyachok D.T., Nemesh V.G., 2011

Досліджено технологію виготовлення та параметри провідникових елементів товстоплівкового НВЧ-фільтра на основі пасти серії 1785, виготовлених на підкладках ВК94-1 і ВК100-1. Виконано перевірку окремих електрофізичних параметрів провідникових елементів на відповідність вимогам технічних умов.
Ключові слова: провідникові елементи, товстоплівковий НВЧ-фільтр, фотополімерна паста.

Investigated the production technology and conductor elements operation factors thick microwave filter based on a paste series 1785, manufactured on substrates ВК94-1 and ВК100-1. Audited certain electrical and physical parameters of conductor elements for the compliance with the specification requirements.
Key words: conductor elements, thick microwave filter, photo¬sensitive paste.

Кількість посилань 5

УДК 621.382.323

М.В. Тиханський, Р.Р. Крисько

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ПЕРЕХІДНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЖОЗЕФСОНІВСЬКИХ ЕЛЕМЕНТІВ ЛОГІКИ “І”

© Тиханський М.В., Крисько Р.Р., 2011

M.V. Tyhanskyi, R.R. Krysko

TRANSITION CHARACTERISTICS OF THE JOSEPHSON LOGICAL ELEMENTS “AND”

© Tyhanskyi M.V., Krysko R.R., 2011

Розглянуто можливість реалізації елементів цифрової логіки “І” на базі джозефсонівських тунельних переходів і показано, що такі елементи можна створити і ефективно керувати їх логічним станом за допомогою зовнішніх сигналів електричного струму. Створено математичну модель перехідних процесів, що відбуваються в елементах логіки “І” під час зміни їх логічного стану, проведено математичне моделювання логічних переходів “0” ”1” та “1” ”0”, розраховано перехідні характеристики і визначено параметри моделі, за яких забезпечена висока швидкодія та стабільний режим роботи.
Ключові слова: джозефсонівський логічний елемент, джозефсонівський кріотрон, перехідна характеристика, логічний перехід.

In this work, we consider a possibility of the realization of the digital logic’s elements “and” on a basis of Josephson tunneling junctions. It was shown that such elements can be created and their logical state can be effectively controlled by means of external electrical current pulses. A mathematical model of the transition processes that take place in the logical elements “and” during the change of their logical state was developed. We carried out a mathematical modeling of the logical transitions “0” ”1” and “1” ”0” as well as calculated the transition characteristics and determined the model parameters that ensure the high operational speed and stability.
Key words: Josephson logical element, Josephson cryotron, transitional characteristic, logical transition.

Кількість посилань 11

УДК 537.311.322

К.К. Товстюк, Ю.В. Прийма, М.В. Дума

Національного університету “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ЗМІНА ШИРИНИ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ У НАНОСТРУКТУРІ ЗАЛЕЖНО ВІД ЇЇ КОНФІГУРАЦІЙНИХ ОСОБЛИВОСТЕЙ

 Товстюк К.К., Прийма Ю.В., Дума М.В., 2011

C.C. Tovstyuk, Ju.V. Pryima, M.B. Duma

ENERGY BAND MODIFICATION ACCORDING TO CONFIGURATION OF NANOSTRUCTURE

 Tovstyuk C.C., Pryima Ju.V., Duma M.B., 2011

Розраховується енергія основного стану електронів та дірок у структурі, утвореній квантовою ямою (ZnSe) та асиметричними бар’єрами (ZnBeMnSe та ZnBeSe) залежно від ширини немагнітного шару та висоти бар’єру (ZnBeMnSe), що змінюється у магнітному полі внаслідок гігантського ефекту Зеємана. Показано особливості та проаналізовано відмінності, що наявні у спектрах електронів та дірок. Обчислено зміну ширини забороненої зони залежно від ширини немагнітного шару та розщеплення Зеємана.
Ключові слова: наноструктура, спектр електронів, спектр дірок, зміна ширини забороненої зони

The lowest energy level for electrons and holes is calculated in a structure formed by quantum pit (ZnSe) and asymmetric barriers (ZnBeMnSe and ZnBeSe). The dependence of this energy on the non magnetic barrier width is investigated. The effect on energy by semimagnetic barier energy, which changes in magnetic field due to giant Zeeman splitting. The differences in specеrums of electrons and holes are investigated and the features of spectrums of electrons and holes are pointed out. The energy gap, depending on the width of semi magnetic barrier and Zeeman splitting is investigated.
Key words: nanostructure, electrons spectrum, holes spectrum, energy gap

Кількість посилань 8

УДК 530.145

В.М. Фітьо

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки

РЕЗОНАНСНІ РІВНІ ПОТЕНЦІЙНОЇ ЯМИ, УТВОРЕНОЇ ПРЯМОКУТНИМИ БАР’ЄРАМИ СКІНЧЕННОЇ ВИСОТИ

© Фітьо В.М., 2011

V.M. Fitio

RESONANCE LEVELS OF THE POTENTIAL WELL CREATED BY RECTANGULAR BARRIERS OF FINITE HEIGHT

© Fitio V.M., 2011

Створено два методи пошуку резонансних рівнів енергії квантових наноструктур, що складаються з декількох потенційних бар’єрів та потенційної ями. Ці методи ґрунтуються на неперервності хвильової функції та її першої похідної і зводяться до неоднорідної лінійної алгебраїчної системи рівнянь. У першому методі шукається зміна фази хвилі де Бройля при поширенні в потенційній ямі залежно від енергії частинки. Другий метод полягає в пошуку максимуму модуля амплітуди хвилі де Бройля в потенційній ямі залежно від енергії частинки. Обидва методи дають дуже близькі значення резонансних енергій.
Ключові слова: потенційний бар’єр, потенційна яма, хвильова функція, наноструктура, хвиля де Бройля.

Two methods of finding the resonance levels energy of the quantum nanostructures, consisting of the several potential barriers and potential well are generated. These methods are based on the continuity of the wave function and the first derivative. They are reduced to the inhomogeneous linear algebraic equations. In the first method, the phase-change de Broglie wave is searched at the propagation in potential well depending from the energy of particle. The second method is to find the maximum module amplitude of the de Broglie wave in the potential well depending from the energy of particle. Both methods give very similar resonance energies.
Key words: potential barrier, potential well, wave function, nanostructure, de Broglie wave.

Кількість посилань 4

УДК 621.315.592;539.143.4

О.Г. Хандожко1, Г.І. Ластівка1, А.П. Саміла1, З.Д. Ковалюк2

1 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки,
2 Чернівецьке відділення ІПМ НАН України

ЕПР І ЯКР У ШАРУВАТОМУ КРИСТАЛІ GaSe:GD

© Хандожко О.Г., Ластівка Г.І., Саміла А.П., Ковалюк З.Д., 2011

O.G. Khandozhko, G.I. Lastivka, A.P. Samila, Z.D. Kovalyuk

THE EPR AND NQR IN LAYERED CRYSTAL GaSe:Gd

© Khandozhko O.G., Lastivka G.I., Samila A.P., Kovalyuk Z.D., 2011

Досліджений вплив політипної структури GaSe на форму спектрів ЕПР домішки гадолінію у стані Gd3+. Показано, що під час концентрації домішки порядку 1018 см-3 у шаруватому кристалі існують, щонайменше, три типи парамагнітних центрів. Наявність нееквівалентних позицій іона Gd3+ пояснюється присутністю політипних модифікацій в GaSe. Виявлено, що введення парамагнітної домішки в кристал істотно уширює спектр ЯКР.
Ключові слова: шаруваті кристали, політипи, спектри ЯКР.

The influence of the polytype structure of GaSe on the shape of the EPR spectra of gadolinium impurity in a state of Gd3+ were studied. Shown that when the impurity concentration of the order 1018sm-3 in a layered crystal, there are at least three types of paramagnetic centers. The presence of nonequivalent sites of Gd3+ is associated with the presence of polytypic modifications in GaSe. It was found that the introduction of paramagnetic impurities in the crystal is considerably broadened NQR spectra.
Key words: layered crystals, polytypes, the NQR spectra.

Кількість посилань 10

Syndicate content