Висвітлено сучасний стан теорії та практики процесів гальванічного заміщення для формування наноструктурованих металів на металевих і напівпровідникових жертовних субстратах і синтезу моно- і біметалевих наночастинок. Проаналізовано залежності геометрії наночастинок і морфології наноструктурованої поверхні від природи підкладки та головних параметрів гальванічного заміщення – природи та концентрації йонів відновлюваного металу, тривалості процесу, температури. Зроблено акценти на комплексний підхід до їх впливу для керованого одержання наноструктур із заданими характеристиками. Зазначено особливості впливу неводного середовища у перебігу реакцій на анодних і катодних ділянках субстрату та поверхнево активних речовин. Розглянуто напрями практичного застосування одержаних наноструктурованих поверхонь і показано перспективність гальванічного заміщення у сучасному хімічному наноматеріалознавстві.
Монографія рекомендована для наукових працівників, які працюють у напрямі хімічного матеріалознавства, викладачів, інженерно-технічних працівників, аспірантів і студентів університетів.

Зміст

Contents

Вступ