Домівка

Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їхніх твердих розчинів у сенсорній електроніці

Дружинін А. О. та ін.
Код: 978-966-553-909-4
Монографія / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. Р. Когут. Львів: Видавництво Львівської політехніки, 2010. 200 с. Формат 170 х 240 мм. М'яка обкладинка.
Ціна:227,00грн.
Друк на вимогу
Weight: 0 кг

Проведено аналіз сучасних методів вирощування мікро- та нанорозмірних нитко¬подібних кристалів Si, Ge та їхніх твердих розчинів. Наведено результати комплексного дослідження електропровідності, магнетоопору, п’єзоопору, коефіцієнта Зеєбека ниткоподібних кристалів Si, Ge та Si1-xGex у широкому інтервалі температур за впливу сильних магнетних полів і деформацій, що було використано для створення сенсорів механічних і теплових величин на їх основі. Подано конструктивні особливості та методи покращання вимірювальних характеристик сенсорів механічних і теплових величин на основі ниткоподібних кристалів кремнію, германію та твердих розчинів Si1-xGex.
Для наукових та інженерно-технічних працівників і студентів, які навчаються за напрямом “Мікро- та наноелектроніка”, а також широкого загалу спеціалістів у галузі сенсорної електроніки та мікроелектроніки.

Зміст

Вступ.
Розділ 1. Методи вирощування ниткоподібних кристалів Si, Ge та твердих розчинів Si1-xGex.
1.1. Загальні підходи до вирощування ниткоподібних кристалів.
1.2. Технологічні особливості вирощування НК кремнію.
1.3. Технологічні особливості одержання НК германію.
1.4. Технологічні особливості вирощування НК твердого розчину Si1-хGeх.

Розділ 2. Електрофізичні властивості ниткоподібних кристалів Si, Ge та твердих розчинів Si1-хGeх.
2.1. Феноменологічна модель електропровідності легованих напівпровідників кремнію та германію.
2.2. Електропровідність та п’єзоопір ниткоподібних кристалів кремнію, германію та їхніх твердих розчинів.
2.3. Аналіз механізмів електропровідності у ниткоподібних кристалах Si, Ge та Si1-хGeх за низьких температур.

Розділ 3. Магнетотранспортні властивості ниткоподібних кристалів Sі, Ge та Si1-хGeх.
3.1. Особливості магнетоопору сильнолегованих кристалів кремнію та германію.
3.2. Магнетоопір ниткоподібних кристалів Si та твердого розчину Si1-хGeх у широкому інтервалі магнетних полів та температур.
3.3. Вплив деформації на магнетоопір НК Si та твердого розчину Si1-хGeх.
3.4. Вплив ступеня легування на магнетоопір НК Si та твердого розчину Si1-хGeх за дії одновісної деформації.
3.5. Магнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах Ge n-типу.
3.6. Гістерезис магнетоопору НК Si.

Розділ 4. Термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів Si, Ge та Si1-хGeх.
4.1. Про ефективність кремнію, германію та їхніх твердих розчинів як термоелектричних матеріалів.
4.2. Термоелектричні характеристики НК твердого розчину Si1-хGeх.

Розділ 5. Використання ниткоподібних кристалів Si, Ge та твердого розчину Si1-хGeх у сенсорній електроніці.
5.1. Сенсори механічних величин на основі ниткоподібних кристалів кремнію та германію.
5.2. Сенсори механічних величин на основі НК Si1-хGeх.

Література.

»