На основі новітніх підходів фізики напівпровідників та сучасних методів дослідження структури речовини та її електронного спектра описано фізичні процеси у новому класі термоелектричних матеріалів – в інтерметалічних напівпровідниках. Обґрунтовано вперше поняття “локальна аморфізація кристала”, яке ввели автори, сформульовано критерії розчинності атомів рідкісноземельних металів (R) у структурі сполуки ZrNiSn та переходу провідності діелектрик-метал (перехід Андерсона) у Zr1-xRxNiSn, визначено природу “апріорного легування” інтерметалічних напівпровідників. Детально описано запропонований метод оптимізації моделі кристалічної структури на основі результатів розрахунку електронного спектра і фізичних властивостей та умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності термоелектричних елементів на основі інтерметалічних напівпровідників.
Для спеціалістів та студентів у галузі фізики і хімії напівпровідників, інженерного матеріалознавства, енергоощадних технологій, термометрії.

Зміст. Передмова