УДК 548.24

Н.В. Mартинюк1, О.А. Бурий1, С.Б. Убізький, І.І. Сиворотка2, А. Бьоргер3, К.Д. Беккер3

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки;
2 Інститут матеріалів, Науково-виробниче підприємство “Карат”, м. Львів;
3Технічний університет, Брауншвейг, Німеччина

РОЛЬ ПОВЕРХНІ У ПРОЦЕСІ ПЕРЕЗАРЯДЖЕННЯ YB2+  YB3+ У МОНОКРИСТАЛІЧНИХ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРАХ YB:Y3AL5O12

© Mартинюк Н.В., Бурий О.А., Убізський С.Б., Сиворотка І.І.,Бьоргер А., Беккер К.Д., 2009

N.V. Martynyuk, O.A. Buryy, S.B. Ubizskii, I.I. Syvorotka, A. Börger, K.D. Becker

INFLUENCE OF THE SURFACE ON YB2+  YB3+ RECHARGE PROCESSES IN MONOCRYSTALLINE EPITAXIAL FILMS YB:Y3AL5O12

© Martynyuk N.V., Buryy O.A., Ubizskii S.B., Syvorotka I.I., Börger A., Becker K.D., 2009

Методами високотемпературної in-situ спектроскопії досліджено процеси перезарядження йонів Yb2+  Yb3+ під час високотемпературного відпалу в окиснювальній атмосфері в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12. Встановлено якісні відмінності у перебігу процесів перезарядження в епітаксійних плівках та об’ємних кристалах Yb:Y3Al5O12, зокрема у формі кінетичних залежностей, що їх описують, та тривалості процесу, і показано, що вони пов’язані з відмінностями у швидкості реакції на поверхні зразка та визначаються структурою приповерхневого шару. Встановлено, що швидкість пере¬зарядження у зразках з порушеннями структури поверхні, викликаними механічним шліфуванням та поліруванням, є набагато більшою, ніж в епітаксійних плівках з атомно-гладкою поверхнею.

The recharge process Yb2+  Yb3+ in Yb:YAG epitaxial films under thermo-chemical treatment in oxidizing atmosphere was studied by means of in-situ high temperature spectroscopy. It was revealed that course of Yb2+  Yb3+ recharge process in films differs from that in bulk crystals, particularly, in the form of recharge kinetics and its rate. These differences were shown to be related with differences in the reaction rate on the sample surface and determined by structural perfection of the sample surface. The rate of Yb2+  Yb3+ recharge process was found to be much higher in samples with damaged surface structure caused by mechanical polishing than in epitaxial films with atomically smooth surface.

Кількість посилань – 23

Завантажити статтю

УДК 535.321:681.787

Н.A. Андрущак, О.І. Сиротинський

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра телекомунікацій

ІНТЕРФЕРОМЕТРИЧНА УСТАНОВКА ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ПОКАЗНИКА ЗАЛОМЛЕННЯ ПЛОСКОПАРАЛЕЛЬНИХ ПЛАСТИН В ДІАПАЗОНАХ ММ-СУБММ ДОВЖИН ХВИЛЬ. АПРОБАЦІЯ НА ПРИКЛАДІ ОПТИЧНОГО СКЛА І КРИСТАЛІВ КВАРЦУ, САПФІРУ ТА ЕВЛІТИНУ

© Андрущак Н.A., Сиротинський О.І., 2009

N.A. Andrushchak, O.I. Syrotynskiy

THE INTERFEROMETER DEVICE FOR PLANE-PARALLEL PLATES REFRACTION INDEX ESTIMATION AT MM TO SUB-MM WAVELENGTH. TESTING THE EXAMPLES OF OPTICAL GLASS AND FOR QUARTZ, SAPPHIRE, EVLITIN CRYSTALS.

© Andrushchak N.A., Syrotynskiy O.I., 2009

На основі запатентованого нами інтерферометрично-поворотного методу був створений та описаний принцип роботи експериментальної установки для визначення показника заломлення плоскопаралельних пластин із ізотропних чи анізотропних матеріалів в діапазонах міліметрових-субміліметрових (мм-субмм) довжин хвиль. Проаналізовано процес вимірювання зсуву інтерференційної картини на основі розробленого програмного забезпечення, наведено необхідні робочі співвідношення та оцінено експериментальну похибку визначення показника заломлення. Апробацію роботи установки на частоті джерела випромінювання f=33ГГц та відповідний розрахунок значень показників заломлення було здійснено на прикладі плоскопаралельних зразків із оптичного скла (n=1.53), кристалів кварцу (n=2.12), сапфіру (n=3.18) та евлітину (n=2.02).

Based on patented by us interferometer-turning method the experimental set-up for refractive index measurement of parallel plates from isotropic and anisotropic materials in ranges millimeter-submillimeter (mm-submm) wave length have been created and described. The process of interference fringe shift measurement that based on created software has been analyzed, necessary working correlations have been given and experimental accuracy of refractive indexes measurement has been appraised. The set-up approbation for electromagnetic source f=33GGz frequency and necessary calculation of refractive indexes for parallel plate samples of optical glass (n=1.53) and crystaline quarts (n=2.12), sapphire (n=3.18) and evlitine (n=2.02) have been done.

Кількість посилань – 10

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

І.А. Большакова1, Р.Л. Голяка2, А.П. Мороз1, В.Е. Єрашок1, Т.А. Марусенкова1

Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки,
2кафедра електронних приладів

СЕНСОРНІ ПРИСТРОЇ МАГНІТНОГО ПОЛЯ НА СЕНСОРАХ ХОЛЛА З РОЗЩЕПЛЕНОЮ СТРУКТУРОЮ

© Большакова І.А., Голяка Р.Л., Мороз А.П., Єрашок В.Е., Марусенкова Т.А., 2009

I. Bolshakova, R. Holyaka, A. Moroz, V. Yerashok, T. Marusenkova

MAGNETIC FIELD SENSOR DEVICES ON THE HALL SENSORS WITH SPLITTED STRUCTURE

© Bolshakova I., Holyaka R., Moroz A.,Yerashok V., Marusenkova T. 2009

Наведено принципи побудови сенсорних пристроїв магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою. Показано, що шляхом відповідної конструктивної модифікації сенсорів Холла з розщепленою структурою вдається отримати нові функціональні можливості, зокрема, щодо підвищення просторової роздільної здатності та інтегрування декількох сенсорів в дво- та тривимірні структури.

The work is dealing with questions of new magnetic field sensor devices developing on the splitted structure base. It has been shown that by special structure modification of Hall sensors with splitted structure it is possible to achieve new functional abilities, in particular, concerning an improvement of space resolution and the sensors integration into two- and three dimensions structure.

Кількість посилань – 6

Завантажити статтю

УДК 539.143.43; 621.317.42

В.В. Браїловський, А.П. Саміла, О.Г. Хандожко

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича,
кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки

ТОПОЛОГІЯ НАПРУЖЕНОСТІ ВИСОКОЧАСТОТНОГО ПОЛЯ КОТУШКИ ДАВАЧА РАДІОСПЕКТРОМЕТРА

© Браїловський В.В., Саміла А.П., Хандожко О.Г., 2009

V.V. Brailovskyy, A.P. Samila, O.G. Khandozhko

TOPOLOGY OF HIGH-FREQUENCY FIELD STRENGTH OF MICROWAVE SPECTROMETER SENSOR СOIL

© Brailovskyy V.V., Samila A.P., Khandozhko O.G., 2009

Досліджено топологію напруженості високочастотного поля котушок різної форми давача радіоспектрометра ЯМР і ЯКР. Найбільша область однорідного поля спостерігається в котушках із змінним кроком намотування витків. Розбіжність профілів залежності інтенсивності ЕПР і напруженості високочастотного поля В1 пояснюється впливом крайового розсіювання напруженості поля на потокозчеплення магнітного поля котушки зі спіновою системою випробувального зразка ДФПГ.

Topology of high-frequency field strength of various-shaped coils of NMR and NQR microwave spectrometer sensor is investigated. The largest area of homogeneous field is observed in the coils with variable winding pitch. The discrepancy in dependence profiles of EPR intensity and high-frequency field strength B1 is attributable to the effect of edge scattering of field strength on the flux linkage of coil magnetic field with the spin system of DPPH sample under test.

Кількість посилань – 5

Завантажити статтю

УДК 539.293

В.В. Гоблик, В.А. Павлиш, І.В. Ничай

Національний університет "Львівська політехніка",
кафедра електронних засобів інформаційно-комп’ютерних технологій

РОЗПОДІЛ ПОЛЯ ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПЛАСТИНИ ЗІ СКЛАДНИМ ПРОФІЛЕМ ЗМІНИ ДІЕЛЕКТРИЧНОЇ ПРОНИКНОСТІ

© Гоблик В.В., Павлиш В.А., Ничай І.В., 2009

V.V. Hoblyk, V.A. Pavlysh, I.V. Nychai

DISTRIBUTING OF THE FIELD OF DIELECTRIC PLATE WITH COMPLEX PROFILE OF DIELECTRIC PERMITTIVITY CHANGE

© Hoblyk V.V., Pavlysh V.A., Nychai I.V., 2009

Для дослідження особливостей формування поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності наведено математичну модель у вигляді гіллястого ланцюгового дробу. Представлено результати просторового розподілу поля над структурою для різних значень її конструктивних параметрів та параметрів функції, яка описує її діелектричну проникність.

In given paper the mathematical model in form of branched continual fraction for research of features of forming of the field of periodically nonuniform dielectric plate with complex profile of dielectric permittivity change is considered. The numerical results of spatial distribution of the field for the different parameters of function that discribe dielectric permittivity of plate are represented.

Кількість посилань – 18

Завантажити статтю

УДК 621.382

З.Ю. Готра1, Р.Л. Голяка1, С.В. Павлов2, С.С. Куленко2

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра електронних приладів,
2 Вінницький державний технічний університет,
кафедра загальної фізики та фотоніки

ПРИНЦИПИ ЕЛЕКТРОТЕПЛОВОГО МОДЕЛЮВАННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СХЕМ З ДИНАМІЧНИМ САМОРОЗІГРІВОМ ЕЛЕМЕНТІВ

© Готра З.Ю., Голяка Р.Л., Павлов С.В., Куленко С.С., 2009

Z.Yu. Hotra, R.L. Holyaka, S.V. Pavlov, S.S. Kulenko

PRINCIPLES OF ELECTRONIC CIRCUITS’S ELECTRO-HEAT MODELING WITH ELEMENTS DYNAMIC SELF HEATING

© Hotra Z.Yu., Holyaka R.L., Pavlov S.V., Kulenko S.S., 2009

Робота скерованана на розширення можливостей традиційних програмних пакетів схемного моделювання PSpiсe та MicroCAP розробленням моделей та принципів електротеплового моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів струмом живлення. Завдання такого електротеплового моделювання характерні для пристроїв потужної електроніки, термостатів, термоанемометричних сенсорів потоку тощо. Запропоновані принципи електротеплового моделювання продемонстровані на прикладах дослідження вольт-амперних характеристик терморезисторів, діодів та транзисторів під час їхнього динамічного саморозігріву.

The work is directed on performance widening of common used PSpiсe and MicroCAP software packets by models and principles developing of electronic circuit’s electro-heat modeling with elements dynamic self heating under supply current. Tasks of such electro-heat modeling are typical ones for power electronic devices, thermostats, thermo-anemometric flow sensors etc. Proposed principles of electro-heat modeling are demonstrated on thermo-resistors’, diodes’ and transistors’ current-voltage characteristics investigation on their dynamic self heating.

Кількість посилань – 14

Завантажити статтю

УДК 621.375.826

І.В. Демкович, Г.А. Петровська, Я.В. Бобицький

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фотоніки

ФОТОТЕПЛОВИЙ МЕТОД ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ТОНКИХ ПЛІВОК

© Демкович І.В., Петровська Г.А., Бобицький Я.В., 2009

I.V. Demkovytch, H.A. Petrovska, Ya.V. Bobitski

THE DETERMINATION PHOTOTHERMAL METHOD OF PARAMETERS THIN FILM

© Demkovytch I.V., Petrovska H.A., Bobitski Ya.V., 2009

Розроблено фототепловий метод контролю параметрів тонкоплівкових покриттів, зокрема, поглинання, температуропровідності, товщини. Для реалізації методу розроблено математичну модель та програмне забезпечення, що дає змогу числовими методами розрахувати просторово-часовий розподіл температурних змін на поверхні досліджуваного зразка типу “підкладка-плівка” за опромінення його лазерним пучком з заданими енергетичними та просторово-часовими характеристиками. Проведено теоретичні дослідження, що дасть змогу встановити залежність теплового відгуку на поверхні зразка від параметрів покриття під час використання імпульсного збуджувального випромінювання.

The photothermal method of control of the thin-film coating parameters (absorption, thermal conductivity, thicknesses) is developed. The mathematical model and the developed software allow to determinate the spatial-temporal distribution of temperature changes on the surface of the investigated “substrate-film” sample caused by laser irradiation under given parameters of the laser beam. The theoretical investigations allow to determine the dependence of the thermal response on the surface of the sample from the parameters of coatings under heating by continuous and pulse exciting radiation.

Кількість посилань – 3

Завантажити статтю

УДК 544.22.022.342; 535.34; 535.37

Я.А. Жидачевський

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра
Лабораторія фізики оксидних кристалів, Центр “Кристал”

ВПЛИВ КОНЦЕНТРАЦІЇ ІОНІВ МАРГАНЦЮ НА ЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ YALO3:MN

© Жидачевський Я.А., 2009

Ya.A. Zhydachevskii

INFLUENCE OF MANGANESE CONCENTRATION ON THE LUMINESCENCE PROPERTIES OF YALO3:MN CRYSTALS

© Zhydachevskii Ya.A., 2009

Наведено результати дослідження люмінесцентних та термолюмінесцентних властивостей кристалів YAlO3:Mn із концентрацією іонів марганцю від 0.001 до 1 ат.%. Проведені дослідження дали змогу встановити, що для досягнення максимальної інтенсивності люмінесценції іонів Mn2+ в кристалі YAlO3 їх концентрація має бути порядку 0.1 ат.%.

The work presents results of investigation of luminescence and thermoluminescence properties of YAlO3:Mn crystals with concentration of manganese ions from 0.001 to 1 at.%. The presented results allowed to establish that optimal concentration of manganese ions should be about 0.1 at.% in order to achieve a maximal intensity of luminescence of Mn2+ ions in YAlO3 crystal.

Кількість посилань – 5

Завантажити статтю

УДК 54.13

В.З. Каліцінський, І.І. Григорчак, І.М. Бордун, Д.В. Матулка, М. Чекайло, Ю.О. Кулик

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра інженерного матеріалознавства та прикладної фізики

“PRE”-“POST” СПРЯЖЕНА МОДИФІКАЦІЯ ПОРИСТОЇ І ЕЛЕКТРОННОЇ БУДОВИ АКТИВОВАНОГО ВУГІЛЛЯ, ОТРИМАНОГО З ЛЛЯНОГО ВОЛОКНА

© Каліцінський В. З., Григорчак І. І., Бордун І.М., Матулка Д.В., Чекайло М., Кулик Ю.О., 2009

V.Z. Kalitsinskyj, I.I. Grygorchak, I.M. Bordun,D.V. Matulka, M.V. Chekaylo, Y.O. Kulyk

“PRE”-“POST” INTERFACED MODIFICATION OF PORE AND ELECTRON STRUCTURE OF ACTIVATED CARBON, WHICH WAS DERIVED FROM FLAX FIBER

© Kalitsinskyj V.Z., Grygorchak I.I., Bordun I.M., Matulka D.V., Chekaylo M.V., Kulyk Y.O., 2009

Розглянуто двоєдину задачу, пов’язану зі спряженням пористої структури вуглецевих матеріалів з їх електронною будовою задля досягнення максимальної ефективності роботи подвійного електричного шару. Досліджено вплив параметрів карбонізації на ємнісні характеристики активованого вугілля. Вихідним матеріалом для отримання активованого вугілля були волокна льону. Запропоновано технології інтеркаляційної модифікації вихідного матеріалу та хімічної модифікації активованого вугілля, які підвищують ефективність роботи подвійного електричного шару.

The double task which is related with coupling a pore structure of carbon materials with its electron structure for receiving maximum efficiency of work of double electric layer (DEL) is considered. The influence of parameters of carbonization process on capacitive characteristics of activated carbon is examined. Fiber flax were used as precursor for production an activated carbon. The technology of intercalation modification of precursor and chemical modification of activated carbon, which enlarge the efficiency of double electric layer, are submitted.

Кількість посилань – 20

Завантажити статтю

УДК 537.312:621.381

І.В. Курило1, І.Є. Лопатинський1, І.О. Рудий1, М.С. Фружинський1, І.С. Вірт2, Т.П. Шкумбатюк2

1Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра фізики, кафедра напівпровідникової електроніки,
2Дрогобицький державний педагогічний університет імені І. Франка

ТОНКОПЛІВКОВІ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ МОДУЛІ НА ОСНОВІ ВУЗЬКОЩІЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ V2VI3

© Курило І.В., Лопатинський І.Є., Рудий І.О., Фружинський М.С., Вірт І.С., Шкумбатюк Т.П., 2009

I.V. Kurilo, I.Ye. Lopatynskyi, I.O. Rudyi, M.S. Fruginskyi, I.S. Virt, T.P. Shkumbatiuk

THIN-FILM THERMOELECTRIC MODULES ON THE BASIS NARROW GAP SEMICONDUCTORS V2VI3

© Kurilo I.V., Lopatynskyi I.Ye., Rudyi I.O., Fruginskyi M.S., Virt I.S., Shkumbatiuk T.P., 2009

Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та гетероструктури Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Теплопровідність тонких плівок вимірювали за допомогою 3-ω методу. Наведено характеристики створеного термогенератора на основі термоелектричного модуля.

Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and heterostructures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K. The thermal conductivity of thin films was obtained by employing the 3-ω method. The present work reports the fabrication and characterization of a thermogenerator based on the principles of thermoelectric module.

Кількість посилань – 7

Завантажити статтю

УДК 621.315.592

О.І. Логуш1, В.А. Павлиш2

Національний університет “Львівська політехніка”,
1кафедра напівпровідникової електроніки,
2кафедра електронних засобів, інформаційно-комп’ютерних технологій

СТАБІЛІЗАЦІЯ ПАРАМЕТРІВ МОН-СТРУКТУР ПРИ ГЕТЕРУВАННІ ДЕФЕКТІВ КРЕМНІЄВОЇ ПІДКЛАДКИ ЦИНКОМ

© Логуш О.І., Павлиш В.А., 2009

O.I. Logush, V.A. Pavlysh

MOS-STRUCTURE PARAMETERS STABILIZATION BY SILICON SUBSTRATE DEFECTS GETTERING WITH ZINC

© Logush O.I., Pavlysh V.A., 2009

Наведено результати експериментальних досліджень впливу гетерування цинком на суцільність плівок SiO2. Показано, що введення цинку в парогазове середовище за термічного окислення кремнію приводить до покращання суцільності плівок. Експериментально підтверджена модель процесу гетерування тримірних дефектів плівок термічного діоксиду кремнію, яка полягає у зниженні рухливості дислокацій приповерхневої області кремнієвих пластин і зменшення внаслідок цього локальних напружень плівок в процесі росту.

The results of experimental investigations of zinc gettering influence on uniformity of SiO2 films and parameters of MOS-structures as a whole are shown. It was demonstrated that adding of zinc into vapor during silicon thermal oxidation results in improvement of films uniformity. The model of gettering process of 3D-defects in thermal silicon dioxide films, which consists in decreasing of dislocation mobility in silicon wafer surface region thus leading to decreasing of local film stresses during growth process, is experimentally approved.

Кількість посилань – 17

Завантажити статтю

УДК 621.317.4

Л.П. Павлик1, С.Б. Убізський1, А.Б. Лозинський2, Г.В. Савицький3

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки
2 Фізико-механічний інститут ім. Г.В. Карпенка НАН України,
3 Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України

АНАЛІЗ РЕАКТИВНОГО КОЛА ЗБУДЖЕННЯ ФЕРОЗОНДА З ОБЕРТАЛЬНИМ ПЕРЕМАГНІЧУВАННЯМ ДИСКОВОГО ОСЕРДЯ

© Павлик Л.П., Убізський С.Б., Лозинський А.Б., Савицький Г.В. 2009

L.P. Pavlyk, S.B. Ubizskii, A.B. Lozynskyy, G.V. Savytskyy

THE REACTIVE EXCITATION CIRCUIT ANALYSIS OF THE FLUXGATE WITH ROTAIONAL MAGNETIZATION REVERSAL OF THE DISK CORE

© Pavlyk L.P., Ubizskii S.B., Lozynskyy A.B., Savytskyy G.V. 2009

Проведено аналіз режимів роботи ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги та побудовано модель відгуку на компоненти вимірюваного магнітного поля у площині дискового осердя. Встановлено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму на котушці збудження. За умови, що частота збудження удвічі менша за резонансну частоту контуру збудження, чутливість ферозонда квадратично зростає з частотою і може перевищувати чутливість ферозонда у режимі збудження струмом. При цьому зникає необхідність у вимірювальній котушці, що спрощує конструкцію ферозонда. Розроблена модель дає змогу оцінити потенційну чутливість ферозонда та оптимізувати параметри його конструкції.

The operation modes’ analysis of fluxgate with rotation magnetization reversal of isotrope disk core under harmonic voltage driving excitation is curried out and the response model is developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was established that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. At condition that the excitation frequency is twice less than the resonance frequency of excitation circuit the fluxgate sensitivity rises quadratically and can exceed the sensitivity in the current driving excitation mode. At this the necessity in pick-up coils disappears that simplifies the fluxgate construction. The developed model allows estimating a potential performance of fluxgate and optimizing its construction parameters.

Завантажити статтю

УДК 621.382.323

М.В. Тиханський, А.І. Партика

Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки

ЗАЛЕЖНІСТЬ РЕЖИМУ РОБОТИ ДЖОЗЕФСОНІВСЬКИХ КРІОТРОНІВ ВІД СИЛИ СТРУМУ ЗМІЩЕННЯ

© Тиханський М.В., Партика А.І., 2009

M.V. Tyhanskyi, A.I. Partyka

BIAS CURRENT DEPENDENCE OF THE OPERATIONAL REGIME OF JOSEPHSON CRYOTRONS

© Tyhanskyi M.V., Partyka A.I., 2009

Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі.

In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.

Кількість посилань – 11

Завантажити статтю

УДК 621.317.4

С.Б. Убізський1, Л.П. Павлик1, І.І. Сиворотка2

1 Національний університет “Львівська політехніка”,
кафедра напівпровідникової електроніки,
2 Науково-виробниче підприємство “Карат”

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЕФЕКТИВНОСТІ МАГНІТООПТИЧНОЇ ВІЗУАЛІЗАЦІЇ ПРОСТОРОВИХ НЕОДНОРІДНОСТЕЙ МАГНІТНОГО ПОЛЯ МЕТОДОМ ІНДИКАТОРНОЇ ПЛІВКИ

© Убізський С.Б., Павлик Л.П., Сиворотка І.І. 2009

Ubizskii S.B., Pavlyk L.P., Syvorotka I.I.

PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF MAGNETO-OPTIC VISUALIZATION OF THE SPATIALLY IRREGULAR MAGNETIC FIELD BY MEANS OF INDICATOR FILM METHOD

© Ubizskii S.B., Pavlyk L.P., Syvorotka I.I. 2009

У роботі з точки зору перехідної характеристики перетворення проаналізована ефективність магнітооптичної візуалізації (МОВ) просторово-неоднорідних магнітних полів розсіяння методом індикаторної плівки з площинною намагніченістю, зокрема чутливість, лінійність перетворення, польова та просторова роздільна здатність. Розглядаються два режими реалізації МОВ – традиційний режим максимального оптичного контрасту та режим максимальної чутливості. Показано, що саме другий режим разом з вторинним обробленням отриманих зображень доцільно використовувати з погляду отримання кількісної інформації про параметри розподілу магнітних неоднорідностей на поверхні об’єкта дослідження.

The performance of the magneto-optic visualization (MOV) spatially irregular magnetic leakage fields by means of indicator film with in-plane magnetization is analyzed on the base of transducer characteristic, namely sensitivity, transducing linearity, field and spatial resolution. Two MOV modes are considered: the traditional one of maximum optical contrast and the maximum sensitivity one. It is shown that exactly the second mode accompanied with the secondary image processing is purposeful to use for quantitative information obtaining about the distribution parameters of magnetic irregularities on the inspection subject surface.

Кількість посилань – 26

Завантажити статтю