Розглянуто основні фізичні процеси і властивості напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторів і тиристорів. Значну увагу приділено математичному аналізу роботи напівпровідникових приладів і поясненню фізичних явищ. Детально проаналізовано фізику контактних явищ у напівпровідниках, контактах метал-напівпровідник, структурах метал-діелектрик-напівпровідник, статичні характеристики і динамічні параметри біполярних і польових транзисторів, а також зміну параметрів і властивостей напівпровідникових приладів залежно від режимів роботи.
Для студентів, які навчаються за напрямом “Електроніка” і “Мікро- та наноелектроніка”, широкого загалу спеціалістів у галузі твердотільної електроніки і мікроелектроніки.
Рекомендувало Міністерство освіти і науки України як навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів, які навчаються за напрямом „Електроніка”, „Мікро- та наноелектроніка”.

Зміст

Вступ.
Розділ 1. Фiзика контактних явищ у напiвпровiдниках.
1.1. Носії заряду в рівноважних напівпровідниках.
1.2. Стаціонарні фізичні явища в р–n-переходах.
1.3. Фізичні основи контакту метал-напівпровідник.
Розділ 2. Напiвпровiдниковi діоди.
2.1. Стаціонарний режим роботи напівпровідникового діода.
2.2. Нестаціонарні фізичні процеси в напівпровідникових діодах.
2.3. ВАХ напівпровідникового діода під час пробою р–n-переходу.
2.4. Різновиди напівпровідникових діодів.
Розділ 3. Біполярні транзистори. Тиристори.
3.1. Фізичні основи біполярних транзисторів.
3.2. Динамічні параметри і статичні характеристики транзистора.
3.3. Еквівалентні схеми і характеристичні параметри транзисторів.
3.4. Залежність параметрів транзистора від режиму роботи і температури.
3.5. Перехідні процеси у біполярних транзисторах.
3.6. Біполярні транзистори напівпровідникових мікросхем.
3.7. Аналіз процесів у транзисторах з полем у базовій області.
3.8. Тиристори.
Розділ 4. Польовi транзистори.
4.1. Фізичні процеси в структурах метал-діелектрик-напівпровідник.
4.2. Польовий транзистор зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник.
4.3. Польовий транзистор з керуючим р–n-переходом.
4.4. Польовий транзистор із затвором Шотткі.
Список літератури.
Додатки.